1200A 1700V英飞凌模块FZ1200R17KE3价格优惠
型号:FZ1200R17KE3
厂家:英飞凌
电流:1200A
电压:1700V
一单元

供应德国西门子/英飞凌大功率igbt模块fz1200r17ke3价格好，观迎来电！

1700V沟道和软穿通IGBT配套的高性能CAL HD二极
我们用芯片截面积为61 mm2的75A CAL HD作为1700V 高密度二极管系列产品的代表来验证我们提出的方法。图2显示了室温下和125°C时的导通特性。可以看出，第一个杰出的特性就是在额定电流下表现出的dU/dT的正温度系数，这使得二极管并联使用时具备自动均流的能力，从而在大功率器件中CAL HD二极管可以采用这种先进的并联方式；第二个特征就是功率密度显著提高。FZ1200R17KE3和标准的截面积为61 mm2 ，额定电流为50A的1700V 轴向载流子寿命控制（CAL）二极管相比，轴向载流子寿命控制高密度二极管（CAL HD）额定电流提高50%。FZ1200R17KE3电流密度的增加，和标准的CAL二极管相比，CAL-HD二极管的正向冲击电流也提高了14%。
 
图：室温和125°C时截面积为61 mm2的75A CAL HD的通态特性
在相同的情况下，通过比较CAL HD搭配沟道型IGBT（3a）和非穿通性IGBT（3b）开关器件时的二极管的软恢复特性，证明了CAL HD二极管和沟道型IGBT有良好的匹配性。用沟道型IGBT作为开关器件，初始导通电流下降到和反向恢复电流峰值IRRM = 55 A一样。而软开关特性表现在恢复电流逐渐降低形成小的拖尾电流。与此相反，由CAL HD二极管和传统的非穿通性IGBT构成的开关组合动态损耗大：在相同的dI/dt 情况下，非穿通性IGBT电压上升的速度（dU/dt=2450 V/µs）是沟道型IGBT速度（dU/dt=800 V/µs）的三倍。反过来沟道型IGBT又能改善CAL HD 二极管的软FZ1200R17KE3特性：使用沟道型IGBT进行功率变化的搭配组合可以观察到平稳的尾电流，其软特性因子S=（t2-t1）/（t1-t0）要比非穿通性IGBT配对高出60%。