IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
新闻:唐山BSM300GA120DN2IGBT模块
目前二期项目的东湖中学站点已经完成仪器安装调试工作，另一站点也正在紧锣密鼓的建设当中。据高闽光介绍，二期项目完全建成后，四套开放光路FTIR设备将对整个泉惠石化园区形成全覆盖态势，在石化园区和乡镇居民密集生活区边界形成一道坚强的VOCs监测屏障，必将有力地保障附近居民环境安全。鲁爱昕也指出，泉惠石化园区VOCs监测系统是国内基于FTIR技术建成的第一个立体化、网络化、全覆盖式VOCs监测网络。该园区VOCs监测网络的完美运行具有很强的示范作用，对于提高国产FTIR设备影响力具有重要意义。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。

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随着中国经济增速放缓的不断持续和结构调整的不断深入，中国机床工具市场需求也发生了显著变化：需求总量明显减少，需求结构加速升级的市场新特征日益明显。需求结构升级的主要方向可以概括为三个方面，即自动化成套，客户化订制和普遍的换挡升级。需求结构的调整绝不是短期的方向，而是用户领域技术进步和产业升级的必然要求。当个性化需求、批量定制和高端制造成为主流市场的强劲需求，便为机床制造企业提出新的供给目标和发展机会。

测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障.　动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻 断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。　注意：若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。　任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。

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对此，业内人士分析称，虽然使用锂电池会造成产品成本增加，但是这是未来发展趋势，低速电动车企业不应该只顾眼前利益，也需要及时调整产品战略，进行产品升级。争议焦点之三是车辆安全问题，低速电动车企业建议弱化侧碰试验，但是董扬意见是既然车辆在道路中行驶，就应该按照国家现有汽车安全标准要求去做，如碰撞试验中正碰和侧碰一个都不能少。争议焦点之四是车身尺寸限制可否放宽。业内专家称，大尺寸有利于车身安全性的提高，并且认为低速电动车标准只要大方向把握准确，碰撞强度、车身尺寸等细节问题都会迎刃而解。