主要优点
1占地少。一般埋设于土壤中或敷设于室内，沟道，隧道中，线间绝缘距离小，不用杆塔，占地少，基本不占地面上空间。
2可靠性高。受气候条件和周围环境影响小，传输性能稳定，可靠性高。
3具有向超高压，大容量发展的更为有利的条件，如低温，超导电力电缆等。
4分布电容较大。
5维护工作量少。
6可能性小。
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我们有一个创始人/总裁，即使他也不是你的经理。Crisp，在瑞典的一个精品咨询公司，是由大约30人组成，但没有一个是真正的员工，他们没有一个经理；甚至首席执行官也为零。决定是由一致作出，而不是依靠一些经理分配任务，当一个新的任务出现，Crisp发展自己的协议详细职责链。留给人类的首席执行官的角色，将是传播公司的福音。换句话说，首席执行官将成为首要的说书人。公司会像一个，所有的决定遵循国会预定义的协议；只是一个秘书。
研究
《2012年电力电缆产业深度研究》是目前电力电缆领域和系统的深度市场研究。首先介绍了电力电缆的背景知识，包括电力电缆的相关概念、分类、应用、产业链结构、产业概述，市场动态分析，国内市场动态分析，宏观经济环境分析及经济形势对电力电缆行业的影响，电力电缆行业及规划分析，电力电缆产品参数，生产工艺，产品成本结构等；接着统计了主要企业电力电缆产能 产量 成本 价格 利润 产值 利润率等详细数据，同时统计了国内32个企业电力电缆产品 客户 应用 产能 市场地位 企业联系方式等信息，然后对这些企业相关数据进行汇计和总结分析，得到电力电缆产能市场份额，产量市场份额，供应量 需求量供需关系，进口量 出口量 消费量等数据统计，同时介绍电力电缆2009-2013年产能 产量 售价 成本 利润 产值 利润率等，后还采用案例的模式分析了电力电缆新项目机会风险分析和投资可行性分析。总体而言，这份是专门针对电力电缆产业的深度。
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另外，新《能源效率标识办法》还强化了对应标未标、标识不规范行为的监管，对虚标能效的监管，及对能效检测检验机构的监管，并规定《能源效率标识办法》将与能效者制度衔接配合。经过多年的发展，钢铁工业已建成产业链完整、基础雄厚的生产体系，有效满足了国内经济发展对钢材的需求，但钢铁市场供求关系并没有发生根本性改变，钢铁产能严重过剩的局面也未根本改观。因此，要积极化解钢铁过剩产能，加快推进钢铁行业转型升级，重点加快智能制造发展，引领钢铁产品迈向中高端，并不断提升化水平。
型号说明
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电力电缆的型号
1.用汉语拼音个字母的大写表示绝缘种类、导体材料、内护层材料和结构特点。如用Z代表纸（zhi）；L代表铝（lv）；Q代表铅（qian）；F代表分相（fen）；ZR代表阻燃（zuran）；NH代表耐火（naihuo）。
2.用数字表示外护层构成，有二位数字。无数字代表无铠装层，无外被层。位数字表示铠装，第二位数字表示外被，如粗钢丝铠装纤维外被表示为41。
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3.电缆型号按电缆结构的排列一般依次序为：绝缘材料；导体材料；内护层；外护层。
4.电缆产品用型号、额定电压和规格表示。其方法是在型号后再加上说明额定电压、芯数和标称截面积的。
型号详细说明
（1） 类别：H——市内通信电缆
HP——配线电缆
HJ——局用电缆
（2）绝缘：Y——聚乙烯绝缘
YF——泡沫聚烯烃绝缘
YP——泡沫/实心皮聚烯烃绝缘
（3）内护层：A——涂塑铝带粘接屏蔽聚乙烯护套
S——铝，钢双层金属带屏蔽聚乙烯护套
V——聚氯乙烯护套
（4）特征：T——石油膏填充
G——高频隔离
C——自承式
（5）外护层：23——双层防腐钢带绕包销装聚乙烯外被层
33——单层细钢丝铠装聚乙烯被层
43——单层粗钢丝铠装聚乙烯被层
53——单层钢带皱纹纵包铠装聚乙烯外被层
553——双层钢带皱纹纵包铠装聚乙烯外被层
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2） BV 铜芯聚氯乙烯绝缘电线；
BLV 铝芯聚氯乙烯绝缘电线；
BVV 铜芯聚氯乙烯绝缘聚氯乙烯护套电线；
BLVV 铝芯聚氯乙烯绝缘聚氯乙烯护套电线；
BVR 铜芯聚氯乙烯绝缘软线；
RV 铜芯聚氯乙烯绝缘安装软线；
RVB 铜芯聚氯乙烯绝缘平型连接线软线；
BVS 铜芯聚氯乙烯绝缘绞型软线；
RVV 铜芯聚氯乙烯绝缘聚氯乙烯护套软线；
BYR 聚乙烯绝缘软电线；
BYVR 聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套软线；
RY 聚乙烯绝缘软线；
RYV 聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套软线
3）WD：无卤低烟型
ZR: 阻燃型
NH：耐火型
DH：防火型
:日照控制电缆KVVP价格零件的精密加工。泵体、泵板、泵盖和齿轮的精度都很高，特别是行星齿轮、多出孔的齿距分配尺寸角度，精度高、误差小，每道工序都需要有精密的加工设备来完成。总装与调试。计量泵是在一定的温度、湿度、粘度、扭距、压力以及腐蚀的环境下工作的。零件组装配合还有温度膨胀系数，在一定压力运行中聚合物又不能泄露浸出，高强度螺钉松紧程度都有很大关系，总装调试十分关键。（纺机网）据审视知识产权领域，虽然在高端核心芯片上仍与信息产业霸主美国有着不小差距，但显然加快了开发自主高端芯片的步伐。