IGBT模块的优势和发展前景

2021年全球壹请仍存在很大变数的情况下，经济预期趋于保守和谨慎，但我们仍然有理由看好IGBT的发展。IGBTJ是绝缘栅双极晶体管的简称IGBT。是传统双极结晶体管（BJT）和场效应晶体管（MOSFET）的交叉，是半导体开关器件的理想选择。

IGBT晶体管是这两种常见晶体管中优秀的部分，MOSFET的高输入阻抗和高开关速度以及双极晶体管的低饱和电压，并将它们结合在一起，生产出另一种晶体管开关器件，这种器件能够在几乎零栅极电流驱动的情况下处理大的集电极-发射极电流。

绝缘栅双极晶体管（IGBT）结合了MOSFET的绝缘栅技术和传统双极晶体管的输出性能特性。这种混合组合的结果是“IGBT晶体管”具有双极晶体管的输出开关和传导特性，但像MOSFET一样受电压控制。

IGBT主要应用于电力电子领域，如逆变器、变换器和电源等，但功率双极性管和功率mosfet并不能完全满足固态开关器件的要求。高电流和高电压双极性晶体管是可用的，但它们的开关速度很慢，而功率mosfet可能有更高的开关速度，但高电压和高电流器件昂贵且难以实现。

与BJT或MOSFET相比，绝缘栅双极晶体管器件的优点在于，它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，并且MOSFET具有更高的电压操作和更低的输入损耗。实际上，它是一个场效应管集成了一个双极晶体管的形式。

随着电子和半导体行业的发展，IGBT和晶闸管市场正在发展.IGBT模块用于电动汽车和混合动力汽车，因为它们需要比传统工业应用更高的可靠性水平。与其他系统相比，IGBT模块可靠性的提高是推动IGBT和晶闸管市场增长的主要因素。现在汽车工业正经历着从传统汽车到电动汽车的重大转变。各国正采取措施增加电动汽车的使用，因为电动汽车的环保特性可能会刺激IGBT和晶闸管市场。

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