日韩SiC半导体产能加速扩张
碳化硅(SiC)半导体的产能扩张正在加速。日本半导体厂商Rohm上周宣布,它已经在福冈千谷完成了只使用sic芯片的晶圆厂的建设,并开始投资设备。该计划的目标是在2021年安装设备,并在2022年开始运营。
SiC半导体的禁带宽度是现有Si半导体的3倍以上,可以承受10倍高的电压。SiC半导体开始被安装在电动汽车逆变器、太阳能逆变器和工业设备中。
媒体还报道称,韩国硅厂选择SiC半导体作为其新的核心业务。这一决定似乎与LG集团最近加速的汽车电子业务扩张有关。据预测,韩国SiC芯片设计市场的规模将随着大型企业的进入而扩大,而这一市场目前主要由中小企业占据。
目前,SIC半导体主要的跨国公司包括意法半导体、英飞凌和瑞萨。基于快速开关与SIC半导体的混合解决方案,英飞凌近年来已生产出数以百万计的混合模块,并被客户安装到太阳能及UPS等应用领域当中。
联合SiC推出了一款基于其第四代SiC半导体平台(而不是现有的650V产品)的750V产品,这款产品很可能被用于汽车市场。与第三代产品相比,新产品的单位面积Rds降低了18~60毫欧姆,输出电容也有所降低。
采用这种技术,SiC芯片尺寸更小,电流值更高。SiC的采用预计将加速直流-直流转换和板载充电、工业应用中的功率因数校正以及太阳能逆变器。韩国SiC相关企业包括rrfic和Metal Life,海外企业包括Cree、Veeco、STMicroelectronics和Rohm。
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