NCE609使用先进的沟槽技术,提供优秀的RDS(ON)和低栅极充电。互补的MOSFETs可用于形成一个电平移动的高侧开关,并用于许多其他应用程序。
一般特征
● N通道
VDS=40V,ID=21A
RDS(ON)<19米? @ VGS=10V
RDS(ON)<29米? @ VGS=4.5V
● P通道
VDS=-40V,ID=-14A
RDS(ON)<35米? @ VGS=-10V
RDS(ON)<45米? @ VGS=-4.5V
● 高功率和电流处理能力
● 获得无铅产品
● 表面贴装封装