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ZHR11040-5充电模块 福建二电技术说明书
发布者：qq1756964385 发布时间：2021-12-09 14:54:21 访问次数：172
软件校准技术：传统模块参数整定都采用电位器整定，但存在固有缺陷，如电位器
漂移问题以及现场调整不便等问题；我公司生产的 ZHR22010-4 模块采用软件校准技术，模块
内部没有一个电位器，通过按键和 LCD 显示可以校准模块输出电压、输出限流、电压测量、
电流测量，模块参数整定方便快捷。
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自主均流技术：模块采用自主均流技术，模块间均流偏差小于 3%；
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ZVS 软开关技术：为了使开关电源能够在高频下高效率地运行，我公司不断研究开发
高频软开关技术，已开发成功 ZVS 边缘谐振技术，使开关过程损耗大为降低，从而进一步减
小体积、减轻重量、极大提高模块性能。
1．1
ZVS 软开关优点
? 开关损耗小
? 可实现高频化（极限頻率可做到 1-2MHz）、开关过程在平滑状态下实现
? 恒频运行，谐波成份小
? 无吸收电路
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电流、电压应力小
功率 MOSFET 损耗由三部分组成：开通损耗、关断损耗和导通损耗，硬开关在开关过程
中电压和电流同时变化，即存在高压大电流的状态，此时损耗很大，一般需要加吸收电路减
小开关损耗，另外在关断过程中，Vds 会出现过冲，对功率管有较大的损害。
ZVS 软开关开关过程中开通时 Vds 降到 0V 时电流上升，关断时电流降到 0A 时 Vds 上升，
因而理论上无开关损耗，实际中 Vds 和电流变化有一定的重叠，但开关损耗和硬开关相比较
大大降低
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