详细介绍: 3DD175(3DD176)NPN硅低频大功率晶体管
特点 产品采用三重扩散工艺,抗烧毁能力强,二次击穿耐量高,温度稳定性好,抗热疲劳能力强
应用范围 低速开关,低频功率放大,电源调整
试用温度范围 -55 ---+175℃
质量等级 国军标JP
执行标准 GJB33-97
极限参数
项 目
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符 号
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测试条件
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规 格
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单位
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A
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B
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C
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D
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E
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F
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集电极-发射极电压
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VCEO
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50
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100
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150
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200
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250
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300
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V
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集电极-基极电压
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VCBO
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5
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V
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最大集电极电流
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ICM
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30
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A
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最大集电极耗散功率
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PCM
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|
300
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W
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最高结温
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Tjm
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TC≤75℃
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175
|
℃
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存储温度
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Tjstg
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-55---+175
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℃
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hFE色标
颜色
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红
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橙
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黄
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绿
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蓝
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紫
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hFE
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15-25
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25-40
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40-55
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55-80
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80-120
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120-180
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欢饮前来咨询 联系人 余先生 电话 13519124299
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