详细介绍: 搭载反并联二极管的IGBT-深圳思大-STAR思大为您提供完整的解决方案
英飞凌全新的第三代高速系列
全新的600V和1200V第三代高速IGBT系列经过优化,适用于硬开关和软开关拓扑。该系列树立了行业开关损耗新标杆,可应用于开关频率超过20kHz的拓扑。
极短的拖尾电流和低关断损耗(比最接近的竞争产品低25%)是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品,最高可使能效提高15%。
该系列不仅具备很低的开关损耗,还拥有极低的通态损耗。这主要归功于英飞凌全球知名的TRENCHSTOP TM 技术——本身具备极低的集电极-发射极饱和电压。
特性:
• 最低的开关损耗使开关频率达到20kHz以上的应用具备较高的能效
• 软开关波形带来出色的抗EMI性能
• 低集电极-发射极饱和电压带来低通态损耗
• 适用于目标应用的优化二极管具备低二极管损耗和快速恢复时间
• 符合RoHS
• 正集电极-发射极温度系数意味着热损失不是问题和轻松实现并联
• 5微秒的短路额定值
TRENCHSTOP™ IGBT:逆导软开关系列
基于IGBT和反并二极管位于单芯片的新技术,新一代IGBT能有效优化解决方案的成本
特性:
• 具备最低的集电极-发射极饱和电压和Vf确保了高效能和高品质要求
• 软电流关断优势
• 最低的开关损耗
优势:
• 降低总体系统成本
• 最低的功耗
• 低散热要求
• 降低EMI滤波要求
• 最佳的性价比
全面的产品覆盖:600V、900V、1000V、1200V和1600V。
目标应用:包括电磁炉、电饭煲、变频式微波炉和所有其他软开关应用 STAR思大为您提供完整的解决方案。
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