简要说明：

STB系列高频、高脉冲电容器
缓冲线路，可控硅整流线路，开关电源保护线路。 IGBT，MOSFET突波吸收 。
高电压，高脉冲，高du/dt
材料特性
电容结构:	双层金属化膜，内部串联结构
封装:	阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0 )标准.
尺寸:	适合于各种IGBT保护 。
	(可按客户需求定制特殊规格)
电气特性
电容量:	0.001 to 1.5μF, 参考表格数据
额定电压:	700 to 2000 Vdc
损耗角正切:	测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.
	Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4
绝缘电阻:	3000s，s= MΩ. μF 测试条件 1 minute，100Vdc (25±5℃)
耐电压:	1.8Ur (DC)测试条件 2s，t 25±5℃，1Min
工作温度:	-40~+85℃