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贴片三极管厂家直销，专业的贴片三极管厂家直销，东莞市恒顺塑胶电子有限公司，我公司生产优质的贴片三极管，欢迎来电咨询，我们将竭诚为你们服务，我司的贴片三极管销售热线：0769-85313558 18028222001 陈先生
8550贴片三极管是我公司生产的主要产品，订购优质的贴片三极管就找东莞市恒顺塑胶电子有限公司，我公司位于东莞市长安镇上沙工业区，是东莞最大的贴片三极管厂家，有需要的广大客户请来电咨询，我们将竭诚为你们服务。贴片三极管是电路中常用的电子元件，我公司生产的贴片三极管型号齐全、品质保证、交货准时。
贴片三极管的参数反映了贴片三极管各种性能的指标，是分析贴片三极管电路和选用贴片三极管的依据。
一、电流放大系数
1.共发射极电流放大系数
(1)共发射极直流电流放大系数 ，它表示贴片三极管在共射极连接时，某工作点处直流电流IC与IB的比值，当忽略ICBO时
(2)共发射极交流电流放大系数β它表示贴片三极管共射极连接、且UCE恒定时，集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比，即
管子的β值大小时，放大作用差;β值太大时，工作性能不稳定。因此，一般选用β为30～80的管子。
2.共基极电流放大系数
共基极直流电流放大系数它表示贴片三极管在共基极连接时，某工作点处IC 与 IE的比值。在忽略ICBO的情况下
(2)共基极交流电流放大系数α，它表示贴片三极管作共基极连接时，在UCB 恒定的情况下，IC和IE的变化量之比，即：
通常在很小时， 与β， 与α相差很小，因此，实际使用中经常混用而不加区别。
二、极间反向电流
1.集-基反向饱和电流ICBO
ICBO是指发射极开路，在集电极与基极之间加上一定的反向电压时，所对应的反向电流。它是少子的漂移电流。在一定温度下，ICBO 是一个常量。随着温度的升高ICBO将增大，它是贴片三极管工作不稳定的主要因素。在相同环境温度下，硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。
2.穿透电流ICEO
ICEO是指基极开路，集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。ICEO与ICBO的关系为：
该电流好象从集电极直通发射极一样，故称为穿透电流。ICEO和ICBO一样，也是衡量贴片三极管热稳定性的重要参数。
三、频率参数
频率参数是反映贴片三极管电流放大能力与工作频率关系的参数，表征贴片三极管的频率适用范围。
1.共射极截止频率fβ
贴片三极管的β值是频率的函数，中频段β=βo几乎与频率无关，但是随着频率的增高，β值下降。当β值下降到中频段βO1/ 倍时，所对应的频率，称为共射极截止频率，用fβ表示。
2.特征频率
当三极管的β值下降到β=1时所对应的频率，称为特征频率。在fβ～fT的范围内，β值与f几乎成线性关系，f越高，β越小，当工作频率f>fT，时，贴片三极管便失去了放大能力。
四、极限参数
1.最大允许集电极耗散功率PCM
PCM 是指三极管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定的允许值时，集电极耗散的最大功率。当实际功耗Pc大于PCM时，不仅使管子的参数发生变化，甚至还会烧坏管子。PCM可由下式计算：
PCM =ICUCE GS0126
当已知管子的PCM 时，利用上式可以在输出特性曲线上画出PCM 曲线。
2.最大允许集电极电流ICM
当IC很大时，β值逐渐下降。一般规定在β值下降到额定值的2/3(或1/2)时所对应的集电极电流为ICM当IC>ICM时，β值已减小到不实用的程度，且有烧毁管子的可能。
3.反向击穿电压BVCEO与BVCEO
BVCEO是指基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。
BVCBO是指发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。一般情况下同一管子的
BVCEO(0.5～0.8)BVCBO 。贴片三极管的反向工作电压应小于击穿电压的(1/2～1/3)，以保证管子安全可靠地工作。
贴片三极管的3个极限参数PCM 、ICM、BVCEO和前面讲的临界饱和线 、截止线所包围的区域，便是贴片三极管安全工作的线性放大区。一般作放大用的贴片三极管，均须工作于此区贴片三极管基本作用是放大，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是贴片三极管的放大作用。 三极管还可以作电子开关，以及配合其它电子元件还可以构成振荡器等。
在代换时，必须了解清楚原管子（或要求的管子）的性能(是通用三极管、是开关三极管等)、结构(如达林顿管、带阻贴片三极管、组合贴片三极管)或有特殊要求(如高反压、低噪声等)及—些主要参数然后从手册(或公司数据手册)找同一性能、功能、结构及参数相似的进行试验或代换，另外，要注意的是工作频率(是MF段、HF段、VHF段或UHF段等)．选用的要满足工作频率的要求。
2质量检测方案
(a)测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。
(b)贴片三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。
通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下:
万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小;反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。
3规格型号
9011 1T
9012 2T
9013 J3
9014 J6
9015 M6
9016 Y6
9018 J8
S8050 J3Y
S8550 2TY
8050 Y1
8550 Y2
2SA1015 BA
2SC1815 HF
2SC945 CR
MMBT3904 1AM
MMBT3906 2A
MMBT2222 1P
MMBT5401 2L
MMBT5551 G1
MMBTA42 1D
MMBTA92 2D
BC856 3D
BC807-16 5A
BC807-25 5B
BC807-40 5C
BC817-16 6A
BC817-25 6B
BC817-40 6C
BC846A 1A
BC846B 1B
BC847A 1E
BC847B 1F
BC847C 1G
BC848A 1J
BC848B 1K
BC848C 1L
BC856A 3A
BC856B 3B
BC857A 3E
BC857B 3F
BC858A 3J
BC858B 3K
BC858C 3L
2SA733 CS
UN2111 V1
UN2112 V2
UN2113 V3
UN2211 V4
UN2212 V5
UN2213 V6
2SC3356 R23
2SC3838 AD
2N7002 702
4分类
按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管
。按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地方。按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。按用途分为：放大管和开关管。
5用途
贴片三极管和插件三极管是一样的，只不过是封装不同而已。贴片更小，省空间和免去人工插件。
插件一般是TO-92封装，而贴片一般是SOT-23封装。
两者在放大参数上基本是一样的。
从功能上讲，无论贴片还是插件三级管用途相同：
1.信号放大 （工作在放大区）
2. 开关 （工作在饱和和截止区）
二、 三级管的分类：
按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管。按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地方。按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。按用途分为：放大管和开关管。
三、 三极管的组成：
三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示，Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发射结。 图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。
Ａ Ｂ
四、 三极管在电路中的工作状态：
三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。
1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于截止状态。
2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。
3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增大时，集电极电流几乎不再增大。
工作状态
定义
电流特征
解流
截止状态
集电极与发射极之间电阻很大 IB=0或很小，IC或IE为零或很
小因为IC＝βIB
利用电流为零或很小特征，可以判断三极管已处于截止状态
放大状态
集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制，基极电流大，其内阻小 IC＝βIB
IE=(1+β)IB
有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流，基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流
饱和状态
集电极与发射之间内阻很小 各电极电流均很大，基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流 电流放大倍数β已很小，甚至小于1
（用直流电控制信号的一种方式）
五、 三极管的作用：
放大、调制、谐振、开关
1、电流放大：
三极管是一个电流控制器件，它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE，没有IB就没有IC和IE，只要有一个很小的IB，就有一个很大的IC。在放大电路中，就是利用三极管的这一特性来放大信号的。
2、开关作用：
当三极管做开关时，工作在截止、饱和两个状态。
在三极管开关电路中，三极管的集电极和发射极之间相当于一个开关，当三极管截止时它的集电极和发射之间的内阻很大，相当于开关的断开状态；当三极管饱和时它的集电极和发射极之间内阻很小，相当于开关的接通状态。
导通状态的工作条件：UB>UE，且UBE≥0.7V，CE结内阻很小，此时电流可以从集电极经CE结流向发射极。
截止状态的工作条件：UBE<0.7V，时，也就是基极没有电流时，CE结内阻很大，此时CE结没有电流流过。
硅三极管和锗三极管的导通、截止电压也是不同的：
硅三极管：导通电压UBE>0.7V ，截止电压UBE<0.7V。
锗三极管：导通电压UBE>0.3V ，截止电压UBE<0.3V。
六、 三极管的测量及好坏判断
1、三极管的测量
三极管的极性及管型判断
把万用表打到蜂鸣二极管档，首先用红笔假定三极管的一只引脚为b极，再用黑笔分别角碰其余两只引脚，如果测得两次讲习数相差不大，且都在600左右，则表明假定是对的，红笔接的就是b极，而且此管为ＮＰＮ型管。c、e极的判断，在两次测量中黑笔接触的引脚，读数较小的是c极，读数较大的是e极。红笔接b极，当测得的两级数值都不在范围内，则按ＰＮＰ型管测。ＰＮＰ型管的判断只须把红黑表笔调换即可，测量方法同上。
贴片三极管测量：
正视，两脚左下脚为b极（基极），测量方法同上
2、好坏判断
按以上方法测量时两组读数在300--800为正常，如果有一组数值不正常三极管为坏，如果两组数值相差不大说明三极管性变劣。
测量ce两脚，如果读数为0，说明三极管ce之间短路或击穿，如果读数为1，说明三极管ce之间开路 。
七、 三极管的代换原则（只适舍主板）
1、ＮＰＮ型和ＰＮＰ型三极管之间不能代换，硅管和锗管之间不能代换。
2、原则上要原型号代换，介在实际维修中很做到同型号代换，主板一般采用的三极管大多是硅管，所以代换时，只须做到硅管代换硅管，ＮＰＮ型代换ＮＰＮ型，ＰＮＰ型代换ＰＮＰ型即可。
3、三极管的三个引脚不能弄错，拆下坏三极管时要记住线路板上各引脚孔的位置。
八、 主板上常见的三极管型号
NPN型：
1AM、R1P、1A、P04、N04、ZS89、ZS03、ZS07、G12、1PF1、CR50、K1N
F833、F832、F947、F937、F941、D044、D024、D882、D1760、D1802
3902<=>2222 D882<=>3279，9658<=>965R
PNP型：
2A、2F、P06、DS93、K3N 1202
2907、3906 8550、B772<=>1300
一、晶体管基础 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极
和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。 如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。 金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。 二、晶体管的命名方法 晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。 常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。
半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e）.有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。
1.概念:
半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.
作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关.
2.三极管的分类:
a.按材质分: 硅管、锗管
b.按结构分: NPN 、 PNP
c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
3.三极管的主要参数:
a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.
b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
c. hFE:电流放大倍数.
d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
e. PCM:最大允许耗散功率.
f. 封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在.
4.判断基极和三极管的类型:
先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.
当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP.
判断集电极C和发射极E,以NPN为例:
把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立.
体三极管的结构和类型
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，
从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，
底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。
使用多用电表检测三极管
三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样最多没量12次，总可以找到基极。
三极管类型的判别： 三极管只有两种类型，即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为P型材料，三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通，则说明三极管基极为N型材料，三极管即为PNP型。
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