详细介绍:
SJMN1160FD(11A,600,11N60)AUK最新推出CoolMOS
N-Channel Super Junction MOSFET
SJMN1160FD产品特点
1.漏源电压VDSS=600V
2.低漏源导通电阻:R DS(ON)=0.32Ω(典型值)
3.低输入电容和栅极电荷
4.符合RoHS标准装置
5. 100%雪崩测试
SJMN07S60F/7N60 COMOS场效应管
SJMN07S60F产品特点
1.漏源电压VDSS=600V
2.低漏源导通电阻:R DS(ON)=0.32Ω(典型值)
3.低输入电容和栅极电荷
4.符合RoHS标准装置
5. 100%雪崩测试
?100%雪崩测试
SJMN20S60FD(20A,600V,20N60)AUK最新推出CoolMOS
N-Channel Super Junction MOSFET
SJMN20S60FD产品特点
?漏源电压VDSS=600V
?低漏源导通电阻:R DS(ON)=0.155Ω(典型值)
?低输入电容和栅极电荷
?符合RoHS标准装置
?100%雪崩测试
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