简要说明：AUK牌的15N120 AUK光电子IGBT单片SGTN15C120HW产品：估价：5.7，规格：SGTN15C120HW(15N120)，产品系列编号：齐全

SGTN15C120HW 韩国光电子AUK最新推出15N120（15A,1200V.TO-247）电磁炉专用IGBT
SGTN15C120HW 1200V, 15A IGBT

超高性价比，可完美替代英飞凌 仙童 东芝 IXYS！

SGTN15C120HW替代FGA15N120ANDTU

SGTN15C120HW替代IKW15N120T2

SGTN15C120HW替代IHW15N120R2

SGTN15C120HW替代IHW15N120R3

SGTN15C120HW替代SKW15N120

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SGTN15C120HW替代G15N120

SGTN15C120HW替代IXGH15N120BD1

SGTN15C120HW替代G15N120RUFD

SGTN15C120HW替代IXSH15N120B

SGTN15C120HW产品特点
?低栅极电荷
?现场SOTP技术
?低饱和电压：
VCE(sat) = 1.8V (@ IC = 15A, TC = 25?C)
SGTN15C120HW产品应用
?通用变频器
?感应加热（IH）

SJMN07S60FD(7A,600V,TO-220F)AUK最新推出CoolMOS
(7A,600V,TO-220F) N-Channel Super Junction MOSFET

SJMN07S60F/7N60 COMOS场效应管
SJMN07S60F产品特点
1.漏源电压VDSS=600V
2.低漏源导通电阻：R DS（ON）=0.32Ω（典型值）
3.低输入电容和栅极电荷
4.符合RoHS标准装置
5. 100％雪崩测试
?100％雪崩测试

SJMN20S60FD(20A,600V,20N60)AUK最新推出CoolMOS
AUK COOLMOS管SJMN20S60FD替代SPA20N60C3 英飞凌COOLMOS管

N-Channel Super Junction MOSFET

SJMN20S60FD产品特点
?漏源电压VDSS=600V
?低漏源导通电阻：R DS（ON）=0.155Ω（典型值）
?低输入电容和栅极电荷
?符合RoHS标准装置
?100％雪崩测试

SJMN1160FD(11A,600,11N60)AUK最新推出CoolMOS
AUK COOLMOS管SJMN1160FD替代SPA10N60C3 英飞凌COOLMOS管

N-Channel Super Junction MOSFET

SJMN1160FD产品特点
1.漏源电压VDSS=600V
2.低漏源导通电阻：R DS（ON）=0.32Ω（典型值）
3.低输入电容和栅极电荷
4.符合RoHS标准装置
5. 100％雪崩测试