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何以GTEM室法代受钳法以测四屏电缆？？

射频同轴电缆屏衰之度，以受度备之限制，钩钳法最古之术。此术备简，用便，而灵敏度低，常度所在100dB下。且，量紧慢也被禁在30MHz上。

随CATV统双向乃与余功用之也，见了四屏电缆，四屏电缆屏衰更高，凡可100dB上，以吸绀法度，既不准测四屏电缆之屏蔽衰（以已过吸钳之至测也。。尤为双向HFC网，而乃限紧慢为（5-65）MHz，必须相度紧慢5MHz点之屏蔽衰。此已过了吸钳者也，居然，吸钳法已不应四屏电缆屏衰测之须，用GTEM室法以代。

三GTEM室法度四屏电缆之屏蔽衰测理、测中宜留者

GTEM小室，以同轴及非对矩乃计之线也。为避内电磁波之故及生崇阶式和振，将其谋成尖劈形。入端用于刘同轴接头，而渐至非对矩乃线，以减以制变动之电波反。为使其致之善阻抗匹并获大者均场区，取而调测其计者、进大荆板高、广。为使员TEM波自输端至负载良乃，并有良之高低频性，终端用电阻式配网络与吸材共为合载。GTEM小室之外为四棱锥状屏箱。至左为带淮刘插座之法兰盘，射频号自馈入。侧有一扇，可入或出为测器。屏箱底面有电缆插座，可将见测山内渗入之电磁信号引出，以测量。屏箱底面有过滤波之220V交电源，以予为测有源供电亮器

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