详细介绍:
GTEM小内电磁场布。实线为候之电场则变1dB、2dB与3dB之等则线(自内向外。。而虚线示电场则变1db与2dB者均区。
(一)GTEM室量屏衰之道
射频号发生器经功大后,归至GTEM室输端,于GTEM室激起均电磁场。将四屏电缆截长一段30cm,两为压接之下刘电缆插头。将此电缆一头以屏蔽善之75Ω载电阻终,一头GTEM室中电缆插头上接到,并保电缆直(与电场平。。由,四屏电缆外导体仍有纤隙,GTEM室之强场会入电缆内。
入电缆内之微号经前放大器放大之,由频谱分析仪彰。
GTEM室测四屏电缆屏衰之道曰:
30cm长者四屏电缆为上压接式下头后,电缆效长唯25cm。25cm长之导体在GTEM室均电磁场中生之感生电平为电场则乘导体长。四屏电缆外导体有细隙(屏不良。,GTEM室强之电磁场会入电缆内必生渗感生电平,此电平微须经低噪声高益之前大后放大器,于频谱分析仪上才见。频谱分析仪上示之电平减前放大器之益而获四屏电缆内渗感生电平之大小。25cm长导体在GTEM室之均电磁场中生之感生电平减四屏电缆内渗感生电平,即得四屏电缆之屏衰
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