产品价格:0 元(人民币) 上架日期:2013年4月15日 产地:德国 发货地:深圳 (发货期:当天内发货) 供应数量:不限 最少起订:1PCS 浏览量:129 暂无相关下载 其他资料下载:
简要说明:
BSM150GT120DN2英飞凌IGBT模块、INFINEON ,德国进口 BSM150GT120DN2 产品属性 制造商 Infineon 产品种类 IGBT 模块 产品 IGBT Silicon Modules 配置 Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V 集电极—射极饱和电压 2.5 V 在25 C的连续集电极电流 200 A 栅极—射极漏泄电流 320 nA 功率耗散 1.25 KW 最大工作温度 + 150 C 封装 / 箱体 EconoPACK 3A 栅极/发射极最大电压 20 V 安装风格 Screw 工厂包装数量 10
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