详细介绍: 供应德国infineon系列IGBT模块。FZ400R12KE3.BSM150GB200DN2.FF100R12KS4.FF200R12KS4.FF300R12KS4.FF400R12KS4等系列规格./IGBT 模块特点:是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,优点:具有双极型器件饱和压降低而容量大,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位、 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 /此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,因此在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。/在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。报价以当日出库为准,如需其它IGBT模块产品请致电联系。 |