简要说明：松山牌的LTPSTFT制程中的栅极绝缘膜厚度比较小，lcd厂家【松山】解说产品：估价：0，规格：完善，产品系列编号：齐全

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　　栅极绝缘膜厚度小
　　按制程顺序，后形成的薄膜必须良好地覆盖先形成薄膜形状的高低台阶差。就非晶硅型TFT而言，栅极绝缘膜必须覆盖栅极金属层，为了扫描线信号延迟的考虑，栅极金属层必须有一定的厚度，使扫描线上的亚像素等效电阻不至于太大，而栅极绝缘膜一般需要比被覆盖的栅极金属层厚度更大，才能完整覆盖栅极金属层，以免常见的短路缺陷的发生；非晶硅型TFT的栅极金属层与栅极绝缘膜厚度，一般值各约为200nm与360nm。另一方面，就LTPSTFT而言，栅极绝缘膜只需覆盖半导体层即可，由于半导体层并不用来作为导线使用，厚度不需要太大，LTPSTFT的半导体层与栅极绝缘膜厚度的一般值各约为50nm与100nm。
　　一般会利用栅极绝缘层形成储存电容，虽然一般LTPSTFT的栅极绝缘层使用的是氧化硅膜，介电常数约为3.9，比一般非晶硅型TFT的栅极绝缘层使用的氮化硅膜的介电常数6.9要小，但最后栅极绝缘层的介电常常数与厚度的比值，LTPSTFT仍会比非晶硅型TFT大了约为2倍，使得储存电容的面积可以降低分为二分之一左右。

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