简要说明：美国zemic牌的B6F-C3-250kg-3B6称重传感器产品：估价：电议，规格：齐全，产品系列编号：完善

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轮辐式称重传感器：

H2A-G2-1MN-5T,H2A-G2-2MN-5T,H2A-G2-4MN-5T,H2A-G2-3MN-5T,

H2A-G2-5MN-5T，H2F-C3-5t-5B,H2F-C3-10t-5B,H2F-C3-20t-5B

H2F-C2-50t-3T6，H2F-C2-30t-3T6，H2F-C2-20t-3T6，H2F-C2-10t-3T6

H2F-C2-5t-3T6，H2F-C2-3t-3T6，H2F-C2-2t-3T6，H2F-C2-1t-3T6

H2D4-C3-5t-5B6 0.5/1/2/5/10/20t

H2D-C3-10t-5B 5/10/20t

双剪切梁式称重传感器:

HM9A-C3-10t-12B,HM9A-C3-20t-12B,HM9A-C3-25t-12B,HM9A-C3-30t-16B

HM9A-C3-40t-16B,HM9A-C3-50t-16B,HM9A-C3-40tSE-16B

HM9B-C3-10t-12B,HM9B-C3-20t-12B,HM9B-C3-25t-12B,HM9B-C3-30t-16B

HM9B-C3-40t-16B,HM9B-C3-50t-16B,HM9B-C3-40tSE-16B

柱式称重传感器：

BM14A-C3-10t-13B6,BM14A-C3-25t-13B6,BM14A-C3-40t-13B6

BM14A-C3-60t-13B6,BM14A-C3-100t-13B6

HM14C-C3-10t-13B6,HM14C-C3-20t-13B6,HM14C-C3-25t-13B6

HM14C-C3-30t-13B6,HM14C-C3-50t-13B6

BM14G-C3-10T-15B-SC,BM14G-C3-20T-15B-SC,BM14G-C3-30T-15B-SC

BM14G-C3-40T-15B-SC,BM14G-C3-50T-15B-SC

力敏传感器是使用最广泛的一种传感器，它是检测气体、液体、固体等所有物质间作用力能量的总称，也包括测量高于大气压的压力计以及测量低于大气压的真空计。力敏传感器的种类甚多、传统的测量方法是利用弹性元件的形变和位移来表示，但它的体积大、笨重、输出非线性。随着微电子技术的发展，利用半导体材料的压阻效应和良好的弹性，研制出半导体力敏传感器，主要有硅压阻式和电容式两种，它们具有体积小、重量轻、灵敏度高等优点，因此半导体力敏传感器得到广泛应用。当对一块半导体在某一晶向上施加应力时，其电阻率会产生一定的变化。这种导体电阻率变化和应力之间的相互关系称为半导体压阻效应，利用此效应制成的力学量传感器称为压阻式力敏传感器，它有两种类型，一类是将半导体应变计粘贴在弹性元件上制成的传感器，称为粘贴型压阻式传感器，另一类是在半导体材料的基片上用集成电路工艺制成的扩散电阻，使应变计与硅衬底形成同一整体的传感器，称为扩散型压阻式传感 器。 

  粘贴型压阻式力敏传感器由四只半导体应变片接成全桥形式，用粘合剂贴在弹性元件上构成，它具有很高的应变灵敏系数，一般为20～200，因此输出高，输出灵敏度一般为15～0mV/V，但易发生零点漂移与蠕变，同时还存在半导体应变片和弹性元件热膨胀所带来的温度漂移等影响。扩散型压阻式力敏传感器大都采用单晶硅和半导体平面工艺制成的。一般以N 型硅为衬底，采用氧化、扩散等工艺将硼原子沿给定的晶向扩散到n 型硅衬底材料中，形成P 型扩散层。