压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件,扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时,各电阻值将发生变化,电桥就会产生相应的不平衡输出。
用作压阻式传感器的基片(或称膜片)材料主要为硅片和锗片,硅片为敏感 材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视,尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用最为普遍。
传感器的灵敏度
灵敏度是指传感器在稳态工作情况下输出量变化y对输入量变化x的比值。
它是输出一输入特性曲线的斜率。如果传感器的输出和输入之间显线性关系,则灵敏度S是一个常数。否则,它将随输入量的变化而变化。
灵敏度的量纲是输出、输入量的量纲之比。例如,某位移传感器,在位移变化1mm时,输出电压变化为200mV,则其灵敏度应表示为200mV/mm。
当传感器的输出、输入量的量纲相同时,灵敏度可理解为放大倍数。
提高灵敏度,可得到较高的测量精度。但灵敏度愈高,测量范围愈窄,稳定性也往往愈差。
传感器常用术语
1.传感器
能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用输出信号的器件或装置。通常有敏感元件和转换元件组成。
① 敏感元件是指传感器中能直接(或响应)被测量的部分。
② 转换元件指传感器中能较敏感元件感受(或响应)的北侧量转换成是与传输和(或)测量的电信号部分。
③ 当输出为规定的标准信号时,则称为变送器。
2.测量范围
在允许误差限内被测量值的范围。
3. 量程
测量范围上限值和下限值的代数差。
微型称重传感器:
Q45X8X6-7.5g,Q45X8X6,200,300g,Q45X10X6,500,750g
Q84X5X12-05,20,30,50,100,g, Q70X5X9-H,20,30,50,100,200,g
004-Z1,0.3,0.6,0.75,1.5,3,KG Q47X20X6.6,100,120,300,500,1000,g
45X6X6-7.5g,150,g 2N,40KG 2F,20KG 2D,24KG
2C,10KG 2A/2A-K,15,50,LB 1Z,5-30KG 1X,300,500,600,g,
1V3-350,5,10,25,KG CF-1,1,KG 1T-M,150,KG
1R1-K,0.6,1,2,3,5,6,KG 1P,40,75,KG HM,0.5,1,5,8,20,,KG
JB01-2,JB01-3,JB01-4,JB01-6,JB01-8 JB02-2,JB02-3,JB02-4,
JB05A-4,JB05A-6,JB05A-8, JB06-2,JB06-3,JB06-4,JB06-6,JB06-8
JB07-2,JB07-3,JB07-4, FD-3,FD-4,FD-5
S型梁式称重传感器:
H3-C3-25kg-3B 0.025/0.05/0.1/0.15/0.2/0.25/0.3/0.5/0.6/7.5/10/15/20/30t
H3F-C3-1-6t-6B 0.1/0.25/0.5/0.75/1/1.5/2/2.5/5t
B3G-C3-50kg-6B 0.05/0.1/0.25/0.5/1/2.5/5/7.5/10t
H3G-c3-100kg-3B 0.05/0.1/0.2/0.25/0.5/1/2.5/5/7.5t
BM3-C3-500kg-4B 0.5/1/2/3/4/5/6/7.5t