简要说明：冠军牌的冠军蓄电池12V24AH原装正品报价 最新价格产品：估价：166，规格：12V24AH，产品系列编号：543666

冠军蓄电池12V24AH原装正品报价 最新价格

冠军蓄电池应用领域

 报警系统；
 应急照明系统；
 电子仪器；
 铁路、船舶；
 邮电通信；
 电子系统；
 太阳能、风能发电系统；
 大型UPS及计算机备用电源；
 消防备用电源；
 锋值负载补偿储能装置。

冠军蓄电池参数 

型号 额定电压(V) 标称容量(Ah) 参考尺寸(mm)±2 端子形式

   长 宽 高 总高

NP4-6 6 4 70 47 101 105 E

NP7-6 6 7 151 34 94 98 E

NP10-6 6 10 151 50 95 99 E

NP12-6 6 12 151 50 95 99 E

NP120-6 6 120 195 170 206 209 F

NP180-6 6 180 306 168 220 225 F

NP200-6 6 200 323 178 224 227 F

NP1.2-12 12 1.2 97 43.5 51 56 E

NP2-12 12 2 178 34.5 61 65 E

NP4-12 12 4 90 70 102 106 E

NP5-12 12 5 90 70 102 106 E

NP7-12 12 7 151 65 94 99 E

NP8-12 12 8 151 65 94 99 E

NP12-12 12 12 151 98 98 102 E

NP17-12 12 17 181 76 167 167 F

NP24-12 12 24 166 175 125 125 F

NP33-12 12 33 196 131 163 180 G

NP38-12 12 38 197 165 170 170 G

NP55-12 12 55 228 138 208 227 G

NP65-12 12 65 348 168 178 178 G

NP70-12 12 70 260 168 208 231 G

NP80-12 12 80 260 168 208 231 G

NP90-12 12 90 329 172 215 243 G

NP100A-12 12 100 329 172 215 243 G

NP100B-12 12 100 339 172 212 217 F

NP100-12 12 100 407 175 208 238 G

NP105-12 12 105 407 175 208 238 G

NP120-12 12 120 407 175 208 238 G

NP150-12 12 150 483 170 241 241 G

NP180-12 12 180 522 240 218 244 G

NP200-12 12 200 522 240 218 244 G

 冠军蓄电池行业信息

天合光能（Trina Solar）于2015年11月9日宣布其光伏科学与技术国家重点实验室研发的高效P型多晶硅（mc-Si）太阳能光伏电池效率再创世界纪录。

其自主研发的156×156 mm2太阳能电池光电转换效率达21.25%。研发结果已经被德国弗赖堡弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE CalLab）检测确认。

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多晶硅太阳能电池光电转换效率首次突破21%

为了达到这一转换效率，天合光能在其高质量多晶硅衬底上，应用了先进的背面钝化技术和背电场技术。

“对于这项新纪录，我们感到非常高兴。据我所知，这是全球多晶硅电池光电转换率首次突破21%。”天合光能副总裁、首席科学家Pierre Verlinden博士说。

这一纪录打破了去年11月份同样由天合光能创造的多晶硅太阳能电池光能转换效率20.76%的世界纪录。

3.实验结果和讨论

图2是910℃扩散发射极、沉积Al2O3后黑硅表面反射率曲线和具有倒金字塔绒面结构且沉积Al2O3/SiNx后对照组硅片的反射率曲线。在短波区域黑硅反射率比对照组样品反射率低很多，但在中波区域对照组反射率比黑硅略低。尽管黑硅表面只沉积了Al2O3，通过表面反射率计算出的AM1.5光谱加权反射率比对照组低。

表1是在标准条件下测试的4cm2区域的电池电性能数据以及虚拟填充数据。可以看出所有条件的电池包括对照组开路电压都很低，在630mV左右。从IQE的曲线对比可以发现所有电池的背面钝化效果较差，这主要是因为正面Al2O3、背面PassDop钝化层所适应的退火温度不同，也就是说高温适用于Al2O3退火而不适用于PassDop钝化层退火，以致背面的钝化效果较差。所有电池短波区域的IQE都很高，说明电池正面的钝化效果良好。这和我们之前对硼掺杂黑硅表面钝化效果的研究相吻合，J0e高达51fA/cm2说明N型硅基体P+表面的钝化效果良好[12]。J0e是使用高注入模型[13]并通过准静态光电导法（QSSPC，SintonWCT-120）测试发射极均匀的样品得到的。可以看出对照组的IQE是最高的，黑硅太阳能电池的IQE随着温度的升高而降低，优化黑硅太阳能电池的扩散温度会使其IQE更接近对照组。

具有倒金字塔结构的对照组电池短路电流密度Jsc最高，大小为39.9mA/cm2。黑硅太阳能电池的Jsc略低且随温度的升高而降低。扩散温度越高，结深和掺杂量会越大，Jsc就会越小，这也可以从IQE曲线上看出来。另一方面黑硅太阳能电池的平均反射率为2-3%，比预期的反射率高，这也是引起黑硅电池Jsc低的原因。但是我们已经研究分析出了造成黑硅电池反射率高的原因，将来通过工艺优化可以解决这个问题。

所有电池的填充因子FF都很低，其原因有待于进一步的研究。图4是黑硅电池表面和金属接触面的横截面图，可以看出金属没有渗入到纳米小山峰的底部，导致串阻升高。对照组电池的FF也低，这可能与基体电阻率高有关，但还需要做进一步的实验研究，这是因为其虚拟填充也比预期的低说明FF低不是串阻影响的。通过IV曲线没有观察到分流。将来需要进一步优化工艺来提高黑硅电池的效率。

N型黑硅电池的效率达到了18.7%，这说明黑硅表面结构是一种具有应用潜力的正面绒面结构。最重要的是黑硅正面的纳米结构在后续工艺工程（扩散、硼玻璃刻蚀、光刻中抗腐蚀剂应用）中不会被破环。

要想进一步优化发射极扩散工艺，需要获得更多关于发射极剖面的信息。这可能需要通过过程模拟来处理，然而剖面测试可能不可行。优化发射极剖面包括表面钝化效果的优化、金属化的优化。正面Al2O3和背面PassDop层的退火温度也需要优化来进一步提高电池效率。