NA148称重传感器
NA148-5kg NA148-10kg NA148-15kg NA148-20kg NA148-25kg NA148-30kg NA148-35kg NA148-40kg
NA151称重传感器
NA151-10kg NA151-20kg NA151-40kg NA151-60kg NA151-150kg
NA164称重传感器
NA164-500kg NA164-750kg NA164-800kg
NA165称重传感器
NA165-3kg NA165-5kg NA165-6kg NA165-10kg NA165-15kg NA165-20kg NA165-30kg NA165-35kg NA165-40kg
NA187称重传感器
NA187-50kg NA187-75kg NA187-100kg NA187-150kg NA187-200kg
传感器的整体封装设计与电缆
传感器的封装形式
压电式传感器的工作原理是利NB1-300kg用敏感芯体的压电效应,而压电材料产生的是高阻抗的电荷信号。传感器敏感芯体的绝缘阻抗与传感器的低频测量截止频率存在着相互对应的关系。为了保证传感器的低频响应,传感器壳体封装设计应使敏感芯体与外界隔绝,以防止压电陶瓷受到任何污染而导致其绝缘阻抗下降。敏感芯体绝缘阻抗下降对传感器性能造成的直接影响表现为低频响应变差,严重时还将造成传感器灵敏度改变。为保证传感器的密封特性,大多传感器的封装采用激光焊接。同时在当今密封材料品种多样,性能日益完善的情况下,针对不同的使用环境,采用合适的密封材料替代激光焊接也能达到传感器密封的要求。但必须指出不同的密封材料效果差异很大。北智公司采用国外知名品牌的密封材料并经过通过了多年的环境厉行试验验证。
在工业现场测试现场,为防止电磁场对传感器信号的影响,对用于工业现场的在线监测传感器往往要求传感器采用双重屏蔽壳封装形式。双层屏蔽结构的传感器输出接头一般采用双芯工业接头或联体电缆输出形式。由于双层屏蔽壳的结构特点和双芯输出电缆,传感器的高频特性一般将受到较大的制约,因此如果用户必须选用双层屏蔽型传感器进行高频振动信号测量,应谨慎考虑。
传感器输出接头形式
M5 (M6) 接头是加速度NB1-300kg传感器最为常用的输出接头形式。M5接头特点是尺寸较小,一般配用直径较细的电缆 (2mm或 3mm),比较适合振动实验的测试。另外M5 (M6) 的结构型式对信号屏蔽较好,所以对电荷输出型加速度传感器因其输出为较容易受干扰的高阻抗信号一般均采用M5 (M6) 接头。测量振动的加速度传感器接头一般避免使用Q9 (BNC), 原因是Q9 (BNC),接头组件没有螺纹联接,构件之间的机械耦合刚度较低;因此如果加速度传感器输出采用Q9(BNC),,其将会影响传感器的高频响应。
用于工业环境下的振动测量加速度传感器按可分为巡回检测和在线监测,前者一般采用单层壳屏蔽型式,因此传感器的接头较多使用M6 或TNC接头。而在线监测因经常采用双层屏蔽的结构型式,与其对应的电缆为双芯屏蔽电缆,所以双芯工业接头如M12, M16 以及C5015均被广泛使用。另外连体电缆具有较高的可靠性,因此在工业环境下使用的传感器无论是单层和双层屏蔽的结构都广泛采用连体电缆为输出接头的形式。
需要指出的是无论是那一种输出接头对水下测量都有其局限性,即使传感器本身密封性能达到要求,但电缆联接一般都需要做特殊处理后才能用于水下测量。
定义
位移传感器又称为线性NB1-300kg传感器,它分为电感式位移传感器,电容式位移传感器,光电式位移传感器,位移传感器超声波式位移传感器,霍尔式位移传感器。
电感式位移传感器是一种属于金属感应的线性器件,接通电源后,在开关的感应面将产生一个交变磁场,当金属物体接近此感应面时,金属中则产生涡流而吸取了振荡器的能量,使振荡器输出幅度线性衰减,然后根据衰减量的变化来完成无接触检测物体的目的。
分类
按运动分类型
直线位移传感器和角度位移传感器
按材料分类
金属膜位移传感器 b.导电位移传感器 c.光电式位移传感器 d.磁敏式位移传感器 e.金属玻璃铀传感器 f.绕线式位移传感器 g.电位器位移传感器
广义分类
A 机械式
1)模拟式 电位器式,电阻应变式,电容式,螺旋管电感式,差动变压式,涡流式,光电式,霍尔器件式,微波式,超声波式
2)数字式 光栅式和磁栅式
B 接近式 电容式,涡流式,霍尔效应式,光电式,热释电式,多普勒式,电磁感应式,微波式,超声波式
C 转速式 一般有光电式
D 多普勒式
E 液位式 浮子式,平衡浮筒式,压差电容式,导电式,超声波式,放射式
F流量及流量式 电磁式,涡流式,超声波式,热导式,激光式,光纤式,浮子式,涡轮式,空间滤波式
G 激光位移式
传感器的集成化、多功能化及智能化
NB1-300kg传感器的集成化分为传感器本身的集成化和传感器与后续电路的集成化。前者是在同一芯片上,或将众多同一类型的单个传感器件集成为一维线型、二维阵列(面)型传感器,使传感器的检测参数由点到面到体多维图像化,甚至能加上时序,变单参数检测为多参数检测;后者是将传感器与调理、补偿等电路集成一体化,使传感器由单一的信号变换功能,扩展为兼有放大、运算、干扰补偿等多功能—实现了横向和纵向的多功能。如日本丰田研究所开发出同时检测Na+、K+ 和 H+ 等多种离子的传感器。这种传感器的芯片尺寸为2.5mm×0.5mm,仅用一滴液体,如一滴血液,即可同时快速检测出其中Na+、K+和H+的浓度,对医院临床非常方便实用。目前集成化传感主要使用硅材料,它可以制作电路,又可制作磁敏、力敏、温敏、光敏和离子敏器件。在制作敏感元件时要采用单硅的各向同性和各向异性腐蚀、等离子刻蚀、离子注入等工艺,利用微机械加工技术在单晶硅上加工出各种弹性元件。当今,发达国家正在把传感器与电路集成在一起进行研究。