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产品价格:电议   元(人民币)
上架日期:2015年11月20日
产地:台湾
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品牌:台湾mavin产地:台湾
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简要说明:台湾mavin牌的NA12-0.5kg_NA12-0.5kg传感器产品:估价:电议,规格:完善,产品系列编号:全面

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电位器式位移传感器:

它通过电位器元件将机械位移转换成与之成线性或任意函数关系的电阻或电压输出。普通直线电位器和圆形电位器都可分别用作直线位移和角位移NA12-0.5kg传感器。但是,为实现测量位移目的而设计的电位器,要求在位移变化和电阻变化之间有一个确定关系。图1中的电位器式位移传感器的可动电刷与被测物体相连。物体的位移引起电位器移动端的电阻变化。阻值的变化量反映了位移的量值,阻值的增加还是减小则表明了位移的方向。通常在电位器上通以电源电压,以把电阻变化转换为电压输出。线绕式电位器由于其电刷移动时电阻以匝电阻为阶梯而变化,其输出特性亦呈阶梯形。如果这种位移传感器在伺服系统中用作位移反馈元件,则过大的阶跃电压会引起系统振荡。因此在电位器的制作中应尽量减小每匝的电阻值。电位器式NA12-0.5kg传感器的另一个主要缺点是易磨损。它的优点是:结构简单,输出信号大,使用方便,价格低廉。

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霍耳式位移传感器:

它的测量原理是保持霍耳元件(见半导体磁敏元件)的激励电流不变,并使其在一个梯度均匀的磁场中移动,则所移动的位移正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大,灵敏度越高;梯度变化越均匀,霍耳电势与位移的关系越接近于线性。图2中是三种产生梯度磁场的磁系统:a系统的线性范围窄,位移Z=0时,霍耳电势≠0b系统当Z<2毫米时具有良好的线性,Z=0时,霍耳电势=0c系统的灵敏度高,测量范围小于1毫米。图中NS分别表示正、负磁极。霍耳式位移传感器的惯性小、频响高、工作可靠、寿命长,因此常用于将各种非电量转换成位移后再进行测量的场合。

光电式位移传感器:它根据被测对象阻挡光通量的多少来测量对象的位移或几何尺寸。特点是属于非接触式测量,并可进行连续测量。光电式位移传感器常用于连续测量线材直径或在带材边缘位置控制系统中用作边缘位置NA12-0.5kg传感器。

根据型号特性

导电塑料位移传感器:

用特殊工艺将DAP(邻苯二甲酸二稀丙脂)电阻浆料覆在绝缘机体上,加热聚合成电阻膜,或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是:平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。

绕线位移传感器:是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体,并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电 阻小,精度高,温度系数小,其缺点是分辨力差,阻值偏低,高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。

NA31称重传感器

NA31-0.02kg  NA31-0.05kg  NA31-20g  NA31-50g 

NA32~33称重传感器

NA32-3kg  NA32-6kg  NA32-15kg  NA32-20kg  NA32-30kg  NA32-40kg  NA32-60kg  NA32-80kg  NA32-150kg 

NA33-3kg  NA33-6kg  NA33-15kg  NA33-20kg  NA33-30kg  NA33-40kg  NA33-60kg  NA33-80kg  NA33-150kg 

NA34称重传感器

NA34-0.3kg  NA34-0.6kg  NA34-1kg 

NA34-300g  NA34-600g  NA34-1000g

 

11. 输入阻抗
    
在输出端短路时,传感器输入的端测得的阻抗。
    12.
输出
    
有传感器产生的与外加被测量成函数关系的电量。
    13.
输出阻抗
    
在输入端短路时,传感器输出端测得的阻抗。
    14.
零点输出
    
在市内条件下,所加被测量为零时传感器的输出。
    15.
滞后
    
在规定的范围内,当被测量值增加和减少时,输出中出现的最大差值。
    16.
迟后
    
输出信号变化相对于输入信号变化的时间延迟。
    17.
漂移
    
在一定的时间间隔内,NA12-0.5kg传感器输出终于被测量无关的不需要的变化量。
    18.
零点漂移
    
在规定的时间间隔及室内条件下零点输出时的变化。
    19.
灵敏度
    
传感器输出量的增量与相应的输入量增量之比。
    20.
灵敏度漂移
    
由于灵敏度的变化而引起的校准曲线斜率的变化。


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