详细介绍:
高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。
京瓷晶振参数
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单位
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石英晶振CX1612DB
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标准频率范围
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f_nom
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26.000MHZ~60.000MHZ
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储存温度
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T_stg
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-40°C—+85°C
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工作温度
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T_use
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-10°C—+70°C
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激励功率
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DL
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200μW
Max
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频率温度特征
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F_tem
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±10-6 /-20°C~+75°C
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负载电容
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CL
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8PF
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频率老化
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f_age
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±1 ×10-6 / year
Max
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激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率
(请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
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