简要说明：富士牌的富士IGBT模块7MBR75VR120-5原装现货产品：估价：123，规格：7MBR75VR120-5，产品系列编号：齐全

　　富士7MBR75VR120-50 是fuji第6代IGBT模块，使用最新的驱动IC，实现了业界最高水准的低损耗、低发射干扰。新产品发挥低损耗特性，产品体积较之以往最多减少了80%，实现小型•薄型化封装。富士7MBR75VR120-50 IGBT模块自身低损耗•小型化等特性，使其在通用变频器、数控加工机械、工业机器人、中央空调、太阳能发电用电力变换器等电力电子设备的小型化、节能•高效化方面的表现十分抢眼。 富士7MBR75VR120-5产品特征： （1）集成了最新的第6代IGBT芯片及驱动IC，实现业界最高水准的低损耗（较富士电机以往产品减少20%）、低放射干扰； （2）在业界首次集成了按不同原因输出不同异常报警信号的功能（4种信号）； （3）体积与以往相比减小80%，产品更小、更薄。 富士7MBR75VR120-50 基本参数：IGBT模块（ V系列）1200V / 75A / PIM 富士7MBR75VR120-50 封装尺寸和结构图 富士7MBR75VR120-50 产品参数： 产品：富士IGBT模块（ V系列） 品牌/型号：富士FUJI 7MBR75VR120-50 IGBT模块（ V系列）1200V / 75A / PIM 集电极-发射极电压：Tc=25℃，1200V 栅极-发射极电压：+/-20V 总功率耗散：385V 集电极持续电流：Tc=80℃，50A 栅极-发射极漏电流:200nA 集电极 - 发射极饱和电压:25℃时，2.7V 零栅极电压集电极电流：1mA 包装：工厂原装 产品价格和资料：联系咨询和索取。 富士7MBR75VR120-50等效电路 7MBR75VR120-50 IGBT模块工作原理 IGBT综合了GTR和MOSFET既具有大电流、低饱和压降,又具有高输入阻抗、驱动简单和开关频率高等优点,特别适合于中高频、中大功率应用。当单个主开关器件的容量不能满足功率要求时,通常用两种方法来提高功率等级:①直接选用更大功率等级的器件;②采用功率等级较小、市场货源充足、驱动功率低且线路简单的IGBT模块,通过串、并联来满足耐压、耐流等级的要求。由于单纯采用高功率等级IGBT模块将大大提高产品成本和驱动电路的复杂性,因此采用多管并联提高电流定额以满足工业要求。 GongYES工业思™是专业电子零件销售平台。各大品牌产品：IGBT、电流传感器、熔断器、光耦、钽电容、继电器、防雷器、断路器、接触器等国际品牌电源模块全国销售，全新原装，质量保证！ 联系人：吴小姐 咨询电话：0755-33556146 手机专线：15712055037 QQ邮箱：Info@gongyes.com 深圳办事处：深圳市龙华新区民治大道松花大厦702