富士2MBI300U4H-120-50IGBT模块先进的第三代功率模块，工作频率1-20KHZ,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎己替代一切其它功率器件。

 富士2MBI300U4H-120-50 IGBT模块封装尺寸和结构图

 富士2MBI300U4H-120-50 产品参数：

 产品：IGBT模块

 品牌/型号：富士FUJI 2MBI300U4H-120

 25℃时集电极-发射极电压：1200V

 栅极-发射极电压：+/-20V

 25℃时集电极电流：400A

 功率耗散：1470W

 零栅极电压-集电极电流：4.0mA

 集电极-发射极饱和电压：8.5V

 包装：现货出场原包装

 价格和资料：联系咨询和索取

 2MBI300U4H-120-50 IGBT模块工作原理

 　IGBT模块有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移(半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因)，本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。

  若在IGB模块T的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。