快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。
作用
因为随着装置工作开关频率的提高,若没有快恢复二极管给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器,那么igbt、功率mosfet等开关器件就不能发挥其功能和独特作用,这是由其关断特性参数(反向恢复时间t、反向恢复电荷q、反向峰值电流i
)的作用所致。最佳参数的fred与高频开关器件协调工作,使高频逆变电路内因开关器件换相所引起的过电压尖峰、高频干扰电压及emi降至最低,使开关器件的功能得到充分发挥。
随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展,快恢复二极管作为一种高频器件也得到蓬勃发展,现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内,起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用,这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材,并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源,对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。
快恢复二极管VS-UFB211FA40现货技术参数价格资料
价格:1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: Vishay
安装风格: Screw
封装 / 箱体: SOT-227
Vr - 反向电压 : 400 V
If - 正向电流: 210 A
类型: Fast
Recovery Rectifiers
配置: Dual
Vf
- 正向电压: 1.06 V
最大浪涌电流: 1300 A
Ir
- 反向电流 : 1.3 uA
恢复时间: 40 ns
商标:
Vishay
最大工作温度: + 175 C
最小工作温度: -
55 C
工作温度范围: - 55 C to + 175 C
Pd-功率耗散: 531 W
产品: Rectifiers
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier
Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!
在二极管加正向电压时,可以看出二极管的两个重要的参数:
(1)正向电压降:越小越好;
(2)正向电流:如果二极管用于整流,必须考虑;
极管的反向特性:二极管两端加载反向电压;当电压低于20V时,二极管虽然截止,但是仍有很小的反向漏电流;当电压大于20V后,反向电压击穿二极管,电流会迅速增大。
在二极管加反向电压时,可以看出二极管的两个重要的参数:
(3)
反向漏电流:越小越好;
(4)反向击穿电压:二极管用于整流时,必须考虑
单向导电性能,
(1)正向导通:当PN结加上正向电压,即P区接蓄电池正级,N区接蓄电池负极时,PN结处于导通状态,如图所示,试灯有电流通过,点亮。
注意二极管正向导通时存在着电压降,什么意思呢?如果蓄电池电压是12V,则试灯上的电压一定小于12V,大约是11.6V吧,哪0.4V在那里呢?在二极管上,这0.4V就是二极管的电压降。二极管的电压降取决于二极管采用的是锗管还是硅管:锗管的电压降是0.2V左右;而硅管的电压降是0.5V左右。如果蓄电池电压低于二极管正常导通的电压降,则二极管将不能导通。这个原理的重要性在二极管你可能体会不到,但是到了三极管就显的非常重要了。
(2)反向截止:当PN结加上反正电压,即P区接蓄电池负极,N区接蓄电池正极时,PN结处于截止状态,如图所示,试灯没有电流通过,不能点亮。
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