大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触（二者距离只有原子大小的数量级）时，金属的费米能级低于半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势垒，并且耗尽层只在N型半导体一边（势垒区全部落在半导体一侧）。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流增大，最终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒。
UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和
200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压（即金属加正电压，半导体加负电压）时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
应用
SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。
除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间）、电压驻波比（一般≤2）和噪声系数等。
肖特基二极管B140Q-13-F原装现货技术参数价格
价格：1
产品种类: 肖特基二极管
产品种类: 肖特基二极管与整流器
制造商: Diodes
Incorporated
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品:
Schottky Rectifiers
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMA-2
If - 正向电流: 1 A
Vrrm - 重复反向电压: 40 V
Vf - 正向电压: 500 mV
Ifsm - 正向浪涌电流: 30 A
配置: Single
技术: Si
Ir - 反向电流 : 500 uA
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 65 C
系列: B140Q
封装: Reel
商标: Diodes Incorporated
工厂包装数量: 5000
Vr - 反向电压 : 40 V
单位重量: 64 mg
二极管参数符号大全
CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容，
；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
R(th)ja----结到环境的热阻
Rz(ru)---动态电阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r ；δ---衰减电阻
VF---正向压降（正向直流电压）
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
ICM---最大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
Ⅳ---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
检测方法
下面通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括：①识别电极；②检查管子的单向导电性；③测正向导压降VF；④测量反向击穿电压VBR。
被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面（字面朝向人）从左至右顺序编上序号①、②、③。选择500型万用表的R×1档进行测量，全部数据整理成下表：
肖特基二极管测试结论：
第一，根据①—②、③—④间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。
第二，因①—②、③—②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。
第三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V，均低于手册中给定的最大允许值VFM(0.55V)。
另外使用ZC
25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。查手册，B82-004的最高反向工作电压（即反向峰值电压）VBR=40V。表明留有较高的安全系数。
瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测
A.用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。
对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。
最大整流电流IF
是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
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