海飞乐乐技术有限公司，销售各种封装、型号、参数快恢复二极管、肖特基二极管、MOS管。HFME100N60A可完美替换DSEI2x101-06A。关于更多快恢复二极管的相关信息请登录我司网站www.highfel.com  或者电话咨询：朱先生   13632957632 

   在低压领域，肖特基极管以及MPS整流管具有高开关速度和低通态压降，是首选器件。在高压领域，因为肖特基极管以及MPS整流管的反向击穿电压低且高温下的反向漏电流较大，不能应用于此领域，而具有PiN结构的快恢复二极管以高耐压和高开关速度成为高压领域应用的首选器件，是本文研究的重点。
  快恢复二极管各参数之间存在着折衷关系，主要是正向导通特性、反向恢复特性，及反向击穿特性等之间各参数的矛盾；主要的性能参数包括正向压降、反向峰值电流、反向恢复时间、软度因子、阻断电压、漏电流，我们只能在各参数之间取其折衷而无法实现所有特性参数的最优值，在取得一项或几项参数优化的同时，不过多牺牲其它参数，实现器件综合性能在一定方向上的优化。

  工作原理
  二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

在逆变装置中，输入整流器常用来向直流环电容器充电，并很好地调节DC电压，若逆变装置不要求把能量反馈到交流电网，则交流整流可以采用不可控的单相或三相整流桥。为了限制最初对直流环电容器充电时所产生的冲击电流，以免损坏整流桥，一般采用下列的一种方法来实现：
（1）采用一个负温度系数（NTC）电阻器与输入整流器串接的方法。但这种方法仅对小功率逆变装置有用。
（2）采用在输入整流器的正直流输出端上串接一个充电电阻的方法。为了降低电阻上的功耗和提高装置的效率，当电容器充电到最大电压值时，通常采用有限寿命的机械接触器来短接充电电阻。
（3）采用半控整流桥的方法。采用慢慢增加晶闸管触发角的方法，以实现软起动的目的，因而限制了电容器充电时的冲击电流，当电容器充满电后，进入正常时，电桥内的晶闸管就像整流二极管一样工作。

原装IXYS快恢复二极管DSEI2x101-06A库存现货参数资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 详细信息
数量：9500
描述
Diode Array 2 Independent Standard 600V 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
包装：管件
零件状态：有效
二极管配置：2 个独立式
二极管类型：标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）：600V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）：30A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）：2.49V @ 30A
速度
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：30ns
不同Vr 时的电流 - 反向漏电流
250 08A @ 600V
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B
标准包装：10 
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 10
端接类型: Solder Pad
宽度: 34.3 mm
单位重量: 38 g 
 
   分类
  采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。

  用快恢复二极管FRED替代普通整流二极管后，由于FRD的反向恢复时间trr（纳秒级）比普通整流二极管的trr（微秒级）短得多，且同容量的FRED管的反向峰值电流IRM只有普通整流二极管的一半到四分之一，良好的关断特性，因而使变频器的噪音电平（EMI）降低15分贝（db）以上，从而缩小变频装置EMI滤波器内电抗器和电容器尺寸，缩小装置体积，降低装置成本，减少装置对电网的污染，使装置更符合EMI标准的要求，达到绿色装置的目的。

开关电源MOS到底需不需要并快恢复二极管
开关电源MOS到底需不需要并快恢复二极管呢，不并会不会不好，并了效率会不会高？
并联二极管由于温度的关系很难与MOSFET的二极管达到完美的匹配。其实MOS的体二极管的压降不大，并联一个二极管，可以分一部分电流过去，减小反向恢复的问题，但是分不了多少的。具体还要看应用场合，如果内部的二极管不能满足你的要求，应该是可以并接的。
那么在什么情况下体二极管不能满足要求呢？
输出电压较低，电流较大，对效率要求高的时候，MOS内部本身的二极管压降较大，可以在外面并上一个肖特基二极管。例如同步BUCK中的下管，并上肖特基可以减小体内二极管的发热。

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