产品价格:1 元(人民币) 上架日期:2017年6月5日 产地:韩国 发货地:sz (发货期:当天内发货) 供应数量:不限 最少起订:1pcs 浏览量:100 暂无相关下载 其他资料下载:
简要说明:
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SiC‐MOSFET 与IGBT 不同,不存在开启电压,所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。 而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上,与Si‐MOSFET 不同,SiC‐MOSFET的上升率比较低,因此易于热设计,且高温下的导通电阻也很低。