简要说明：slk牌的C4D20120D产品：估价：1，规格：C4D20120D，产品系列编号：齐全

　　

扇港电子（深圳）有限公司 专注于功率器件研发和销售，致力于为客户提供低功耗，高性能，交期更短器件。 地　　址：深圳市福田区深南路电子科技大厦A1508 邮　　编：518000 联系电话：0755-61880367  传　　真：0755-82818852  企业邮箱：anyever@walsoon.com 手　　机：15889617160  联 系 人：贾飞林 (先生) SiC‐MOSFET 与IGBT 不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。 而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。 3.4 驱动门极电压和导通电阻 SiC‐MOSFET 的漂移层阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照现在的技术水平，SiC‐MOSFET的MOS 沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si 器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（Vgs=20V 以上则逐渐饱和）。如果使用一般IGBT 和Si‐MOSFET 使用的驱动电压Vgs=10～15V 的话，不能发挥出SiC 本来的低导通电阻的性能，所以为了得到充分的低导通电阻，推荐使用Vgs=18V 左右进行驱动。Vgs=13V 以下的话，有可能发生热失控，请注意不要使用。文章来源：http://www.igbt8.com/js/152.html 3.5 Vg‐Id 特性 SiC‐MOSFET 的阈值电压在数mA 的情况下定义的话，与Si‐MOSFET 相当，室温下大约3V（常闭）。但是，如果流通几A 的话，需要的门极电压在室温下约为8V 以上，所以可以认为针对误触发的耐性与IGBT 相当。温度越高，阈值电压越低。 3.6 Turn‐on 特性 SiC‐MOSFET/SiC‐SBD 封装一体化产品SCH2080KE 和同规格等级的Si‐IGBT/Si‐FRD 封装一体化产品分别搭成半桥电路，通过感性负载双脉冲测试对开关波形进行比较。 SiC‐MOSFET 的Turn‐on 速度与Si‐IGBT 和Si‐MOSFET 相当，大约几十ns。但是在感性负载开关的情况下，由通往上臂二极管的回流产生的恢复电流也流过下臂，由于各二极管性能的偏差，从而产生很大的损耗。 Si‐FRD 和Si‐MOSFET 中的体二极管的通常恢复电流非常大，会产生很大的损耗，而且在高温下该损耗有进一步增大的趋势。与此相反，SiC‐SBD 不受温度影响，可以快速恢复，SiC‐MOSFET 的体二极管虽然Vf 较高但是与SBD 相同，具有相当的快速恢复性能。通过这些快速恢复性能，可以减少Turn‐on 损耗（Eon）好几成。 开关速度极大程度上决定于外部的门极电阻Rg。为了实现快速动作，推荐使用几Ω左右的低阻值门极电阻。请考虑到浪涌电压，选择合适的门极电阻。 3.7 Turn‐off 特性 SiC‐MOSFET 的最大特点是原理上不会产生如IGBT 中经常见到的尾电流。SiC 即使在1200V 以上的耐压值时也可以采用快速的MOSFET 结构，所以，与IGBT 相比，Turn‐off 损耗（Eoff）可以减少约90%，有利于电路的节能和散热设备的简化?小型化。而且，IGBT 的尾电流会随着温度的升高而增大，而SiC‐MOSFET 几乎不受温度的影响。 另外，由于较大的开关损耗引起的发热会致使结点温度（Tj）超过额定值，所以IGBT 通常不能在20KHz 以上的高频区域内使用，但SiC‐MOSFET 由于Eoff 很小，所以可以进行50KHz 以上的高频开关动作。通过高频化，可以使滤波器等被动器件小型化。 开关速度较大程度取决于外部的门极电阻Rg。为了实现高频动作，推荐采用几Ω 左右的低阻值门极电阻。并请充分考虑浪涌电压，选择合适的门极电阻。 高频化使滤波器小型?轻量化 3.8 内部门极电阻 芯片内部门极电阻与门极电极材料的薄层阻抗和芯片尺寸相关。如果是相同的设计，芯片内部门极电阻与芯片尺寸呈反比例，芯片尺寸越小，门极电阻越大。SiC‐MOSFET 的芯片尺寸比Si 器件小，虽然结电容更小，但是同时门极电阻也就更大。1200V 80mΩ 的SiC‐MOSFET 产品的内部门极电阻大约为6.3Ω。 开关时间较大程度取决于外部门极电阻。为了实现快速开关，请确认好浪涌的状况，并选用几Ω左右的尽量小阻值的外部门极电阻。 3.9 门极驱动电路 SiC‐MOSFET 是一种易于驱动、驱动功率较少的常闭型?电压驱动型的开关器件。基本的驱动方法和IGBT 以及Si‐MOSFET 一样。推荐的驱动门极电压，ON 侧时为+18V 左右，OFF 侧时为0V。在要求高抗干扰性和快速开关的情况下，也可以施加‐3～‐5V 左右的负电压。 以下是采用ROHM 的驱动IC（BM6103FV‐C）并提供+18V/‐4V 电压时的电路图。当驱动大电流器件和功率模块时，推荐采用缓冲电路。 为了实现快速开关，外部门极电阻请选择几Ω 左右的低阻值。 3.10 体二极管的 Vf 和逆向导通 与Si‐MOSFET 一样，SiC‐MOSFET 体内也存在因PN 结而形成的体二极管（寄生二极管）。但是由于SiC 的带隙是Si 的3 倍，所以SiC‐MOSFET 的PN 二极管的开启电压大概是3V 左右，比较大，而且正向压降（Vf）也比较高。以往，当Si‐MOSFET 外置回流用的快速二极管时，由于体二极管和外置二极管的Vf 大小相等，为了防止朝向恢复慢的体二极管侧回流，必须在MOSFET 上串联低电压阻断二极管，这样的话，既增加了器件数量，也使导通损耗进一步恶化。然而，SiC‐MOSFET的体二极管的Vf 比回流用的快速二极管的Vf 还要高出很多，所以当逆向并联外置二极管时，不需要串联低压阻断二极管。文章来源：http://www.igbt8.com/js/152.html 体二极管的Vf 比较高，这一问题可以通过如同期整流一样向门极输入导通信号使其逆向导通来降低。逆变驱动时，回流侧的臂上多数是在死区时间结束之后输入门极导通信号（请确认使用中的CPU 的动作），体二极管的通电只在死区时间期间发生，之后基本上是经由沟道逆向流过。因此，即使在只由MOSFET（无逆向并联的SBD）构成的桥式电路中，体二极管的Vf 较高也没有问题。另外，恢复特性如3.11 节所述非常快速。 源极到漏极的电流路径 3.11 体二极管的恢复特性 SiC‐MOSFET 的体二极管虽然是PN 二极管，但是少数载流子寿命较短，所以基本上没有出现少数载流子的积聚效果，与SBD 一样具有超快速恢复性能（几十ns）。因此Si‐MOSFET 的体二极管与IGBT 外置的FRD 相比，其恢复损耗可以减少到IGBT 外置的FRD 的几分之一到几十分之一。 体二极管的恢复时间与SBD 相同，是恒定的，不受正向输入电流If 的影响（dI/dt 恒定的情况下）。在逆变器应用中，即使只由MOSFET 构成桥式电路，也能够实现非常小的恢复损耗，同时还预期 可以减少因恢复电流而产生的噪音，达到降噪。 类型 型号 VDSS(V) Id（A) Rds（mr） Package 替代 SIC MOSFET SL28N65A 650 28 120 TO-220AC SCT2120AFC SIC MOSFET SL10N120A 1200 10 450 TO-247 C2M0280120D SCT2450KEC SIC MOSFET SL14N120A 1200 14 280 TO-247 SCT2280KEC SCT10N120 SIC MOSFET SL20N120A 1200 20 160 TO-247 SCT20N120 C2M0160120D SCT3160KLGC11 C2M0080120D SIC MOSFET SL22N120A 1200 22 140 TO-247 SCT2160KEC SIC MOSFET SL36N120A 1200 36 80 TO-247 C2M0040120D SIC MOSFET SL3N170AP 1700 3 1100 TO-3P SCT2H12NZGC11 型号 Vrrm（v） If（A） Qc（nC). Package SIC SBD SL6506B 650 6 9 TO-220/263 SIC SBD SL6508B 650 8 13 TO-220/263 SIC SBD SL6510B 650 10 15 TO-220/263 C3D10065A SIC SBD SL6512B 650 12 18 TO-220/263 SIC SBD SL6515B 650 15 23 TO-220/247/263 SIC SBD SL6520B 650 20 31 TO-220/247/263 SIC SBD SL6520BE 650 26 27 TO247 C3D20065D SIC SBD SL6530BT 650 30 23 TO-247 SIC SBD SL6540BT 650 40 31 TO-247 SIC SBD SL12005B 1200 5 17 TO-220/252 SIC SBD SL1205B 1200 8.5 17 TO-220 C4D05120A SIC SBD SL12010B 1200 10 34/17 TO-220/247 SIC SBD SL1210B 1200 10 34/17 TO247 C4D10120D SIC SBD SL12015B 1200 15 51 TO-220 C2M0040120D SIC SBD SL12020B 1200 20 65/34 TO-220/247 SIC SBD SL1220B 1200 20 65/34 TO247 C4D20120D SIC SBD SL12030BT 1200 30 51 TO-247 SIC SBD SL12040BT 1200 40 66 TO-247 C4D40120D SIC SBD SL17010BT 1700 10 96 TO-247 SIC SBD SL17010BT 1700 25 230 TO-247 型号 VDSS(V) Id（A) Rds（mr） Package MOSFET SL6N02S 20 6 20 SOP-8 MOSFET SL14N02S 20 14 5 SOP-8 MOSFET SL60N02D 20 60 4.8 TO-252 MOSFET SL185N02 20 185 1.4 TO-220AC MOSFET SL10N03S 30 10 8 SOP-8 MOSFET SL30N03D 30 30 10 TO-252 MOSFET SL50N03 30 50 8 TO-220AC MOSFET SL80N03D 30 80 5.5 TO-252 MOSFET SL100N03Q 30 100 1.9 DFN8 MOSFET SL120N03D 30 120 2.3 TO-252 IRLR7843 MOSFET SL150N03 30 150 2.3 TO-220AC IRLB8743 MOSFET SL210N03 30 210 1.5 TO-220AC MOSFET SL33N15K 33 15 9 TO-263 IRFS5615TR MOSFET SL60N04D 40 60 7.3 TO-252 MOSFET SL75N04 40 75 6 TO-220AC IRF4104 MOSFET SL80N04 40 80 5.3 TO-220AC MOSFET SL120N04D 40 120 3.6 TO-252 IRFR7446 MOSFET SL180N04 40 180 2.7 TO-220AC IRF1404Z MOSFET SL190N04 40 190 2.2 TO-220AC MOSFET SL210N04 40 210 1.8 TO-220AC MOSFET SL5558Q 55 58 10.5 DFN8 MOSFET SL55120 55 120 4.1 TO-220AC MOSFET SL55150 55 150 3.8 TO-220AC IRF1405Z MOSFET SL6005S 60 4.5 38 SOP-8 MOSFET SL9N06S 60 9 11 SOP-8 MOSFET SL10N06D 60 10 48 TO-252 MOSFET SL20N06D 60 20 37 TO-252 MOSFET SL50N06I 60 50 17 TO-251 MOSFET SL50N06D 60 50 17 TO-252 IRFR3806 MOSFET SL58N06 60 58 13 TO-220AC MOSFET SL60N06 60 60 10.2 TO-220AC STP60NF06 MOSFET SL75N06D 60 75 9.1 TO-252 IRFR7546TR MOSFET SL90N06 60 90 6.2 TO-220AC MOSFET SL95N06 60 95 6 TO-220AC IRFB7545 MOSFET SL100N06 60 100 5.7 TO-220AC MOSFET SL110N06 60 110 5.4 TO-220AC IRFR7540 MOSFET SL120N06 60 120 6.5 TO-220AC MOSFET SL150N06 60 150 3.4 TO-220AC MOSFET SL180N06K 60 180 2.9 TO-263 IRFS3206 MOSFET SL75N07D 70 75 10.5 TO-252 MOSFET SL80N07 70 80 6.3 TO-220AC MOSFET SL120N07 70 120 4.5 TO-220AC MOSFET SL130N07 70 130 4 TO-220AC MOSFET SL170N07 70 170 3.3 TO-220AC MOSFET SL7560D 75 60 6.8 TO-252 MOSFET SL7578 75 78 7 T0-220AC MOSFET SL7580K 75 80 6.5 TO-263 IRFS3607TRLPBF IXTA80N075L2 IPB80N08S2L07A STB76NF75 IPB049NE7N3 G AUIRFS3607TRL MOSFET SL7590 75 90 5 T0-220AC IRFB7740 MOSFET SL75110 75 110 7.5 TO-220AC MOSFET SL75140 75 140 5.1 TO-220AC MOSFET SL75210 75 210 3.8 TO-220AC MOSFET SL75260T 75 260 2.1 TO-247 MOSFET SL75350T 75 350 1.7 TO-247 MOSFET SL50N08 80 50 13 TO-220AC MOSFET SL60N08 80 60 10 TO-220AC MOSFET SL120N08 80 120 4.9 TO-220AC MOSFET SL160N08 80 160 3.7 TO-220AC MOSFET SL190N08 80 190 3.4 TO-220AC IRFP3077 MOSFET SL8580 85 80 6.8 TO-220AC MOSFET SL85150T 85 150 3.9 TO-247 MOSFET SL85210T 85 210 2.9 TO-247 MOSFET SL85350T 85 350 1.8 TO-247 MOSFET SL15N10D 100 15 67 TO-252 MOSFET SL35N10D 100 35 25 TO-252 IRFR540Z MOSFET SL40N10D 100 40 14.5 TO-252 MOSFET SL60N10Q 100 60 12.6 DFN8 MOSFET SL100N10 100 100 9.9 T0-220AC IRF100B202 MOSFET SL140N10T 100 140 4.5 TO-247 MOSFET SL210N10T 100 210 3.3 TO-247 MOSFET SL290N10T 100 290 2.7 TO-247 MOSFET SL20N15 150 20 70 T0-220AC MOSFET SL40N15D 150 40 35 TO-252 MOSFET SL7815 150 78 15 T0-220AC IRF7815 MOSFET SL100N15 150 100 9.8 T0-220AC IRFB4321 MOSFET SL150N15T 150 150 6.6 TO-247 MOSFET SL5N20I 200 5 520 TO-251 MOSFET SL13N20 200 13 123 T0-220AC MOSFET SL24N20K 200 24 64 TO-263 MOSFET SL24N20D 200 24 64 TO-252 IRFR4620 MOSFET SL40N20F 200 40 36.4 TO-220F MOSFET SL60N20 200 60 24 TO-220AC MOSFET IRFP460 500 20 270 TO-247 IRFP460 MOSFET S65R620D 550 9 300 TO-252 IPD50R399CP MOSFET SL2N60I 600 2 4600 TO-251 MOSFET SL4N60I 600 4 2500 TO-251 MOSFET SL20N60F 600 20 360 TO-220F TK20A60U MOSFET 2SK3878 900 9 1100 TO-3P 2SK3878 MOSFET SL5N130P 1300 5 3500 TO-3PF Super MOSFET SL2N60C 600 2 1850 TO-251/252 Super MOSFET SL4N60CI 600 4 1000 TO-220/251/252 SPU03N60C3 Super MOSFET SL5N60CF 600 5 780 TO-220/251/252 IPA60R950C6 Super MOSFET SL6N60CI 600 6 720 TO-251 SPU04N60C3 Super MOSFET SL7N60CD 600 7 560 TO-252-3 SPD07N60C3 Super MOSFET SL7N60CF 600 7 560 TO-252-3 SPA07N60CFD Super MOSFET SL7N60CI 600 7 560 TO-251-3 IPU60R1K0CE Super MOSFET SL8N60CF 600 8 480 TO-220/251/252 SPA07N60C3 Super MOSFET SL11N60C 600 11 300 TO-220/252 Super MOSFET SL15N60C 600 15 230 TO-220/220f Super MOSFET SL21N60CF 600 21 150 TO-220/247 SPA20N60C3 Super MOSFET SL36N60CT 600 36 84 TO-247 Super MOSFET SL47N60CT 600 47 56 TO-247 Super MOSFET SL2N65C 650 2 2200 TO-251/252 Super MOSFET SL4N65C 650 4 1000 TO-220/251/252 Super MOSFET SL5N65C 650 5 780 TO-220/251/252 Super MOSFET SL6N65C 650 6 800 TO-251 Super MOSFET SL8N65C 650 8 480 TO-220/251/252 Super MOSFET SL10N65F 650 10 240 TO-220F STP10NK60ZFP Super MOSFET SL11N65CF 650 11 300 TO-220/252 SPA11N60 Super MOSFET SL15N65C 650 15 230 TO-220/220f Super MOSFET SL15N65CF 650 15 230 TO220FP SPA15N60C3 Super MOSFET SL20N65CF 650 20 160 TO220FP SPA20N60C3 Super MOSFET SL21N65CT 650 21 150 TO-220/247 IPW65R190C6 Super MOSFET SL36N65CT 650 36 90 TO-247 IPW60R099CP Super MOSFET SL47N65CT 650 47 60 TO-247 SPW47N60C3 Super MOSFET SL2N70C 700 2 2200 TO-251/252 Super MOSFET SL4N70C 700 4 1200 TO-220/251/252 Super MOSFET SL5N70C 700 5 840 TO-220/251/252 Super MOSFET SL8N70C 700 8 540 TO-220/251/252 Super MOSFET SL11N70C 700 11 360 TO-220/252 Super MOSFET SL15N70C 700 15 260 TO-220/220f Super MOSFET SL21N70C 700 21 165 TO-220/247 Super MOSFET SL36N70CT 700 36 100 TO-247 Super MOSFET SL47N70CT 700 47 65 TO-247 Super MOSFET SL4N80CD 800 4 1800 TO-220/251/252 SPD04N80C3 Super MOSFET SL5N80C 800 5 1000 TO-220/251/252 Super MOSFET SL6N80C 800 6 780 TO-220/251/252 Super MOSFET SL8N80CF 800 8 670 TO-220f Super MOSFET SL8N80F 800 8 670 TO-220F FQPF8N80C Super MOSFET SL8N80C 800 9 490 TO-220/247 Super MOSFET SL5N90C 900 5 1000 TO-220/251/252 Super MOSFET SL7N90C 900 7 630 TO-220/247 IGBT Discrete 型号 Vces(V) Ic（A) Vce（mr） Package IGBT Discrete SL15N60FF 600 15 2.1 TO-220f IGBT Discrete SL15T60FA 600 15 1.65 TO-22AC IGBT Discrete SL25N60FL 600 25 1.9 TO-247 IGBT Discrete SL40T65FL 650 40 2.1 TO-247 FGH40N60SFDTU IGBT Discrete SL50T65FL 650 50 1.8 TO-247 IHW50N65R5 IGBT Discrete SL40N60FL 600 40 2.15 TO-247 IGBT Discrete SL50N60FL 600 50 2.5 TO-247 IGBT Discrete SL60N60FL 600 60 2.2 TO-247 IGBT Discrete SL60T60FL 600 60 2.2 TO-247 FGH60N60SFDTU IGBT Discrete SL10T120FP 1200 10 2.2 TO-3P IGBT Discrete SL15T120FL 1200 15 2.1 TO-3P/247 IGBT Discrete SL15N120FL 1200 15 2.2 TO-3P/247 IGBT Discrete SL20N120FL 1200 20 2.1 TO-3P/247 IGBT Discrete SL25T120FL 1200 25 2.25 TO-3P/247 NGTB25N120FLWG IGBT Discrete SL30N120FL 1200 30 2.1 TO-247 IGBT Discrete SL40T120FL 1200 40 2.2 TO-247 IKW40N120H3 IGBT Discrete SL40N120FL 1200 40 2.3 TO-247 IGBT Discrete SL50T120FL 1200 50 2.4 TO-264 IGBT Discrete SL60N120FL 1200 60 2.4 TO-264 IGBT Discrete SL15T135FL 1350 15 2 TO-247 IGBT Discrete SL20T135FL 1350 20 1.7 TO-247 IGBT Discrete SL25T135FL 1350 25 2 TO-247 IGBT/SIC Module 型号 Vces(V) Ic（A) Vce（mr） Package IGBT/SIC Module SL50H60TL 600 50 1.95 APTCV60HM45 MUBW30-06A7 FMG1G50US60 IGBT/SIC Module SL75H60TL 600 75 1.95 APT50GF60JU2 IXGN50N60BD3 FMG1G75US60 IGBT/SIC Module SL150H60TL 600 150 1.8 APTGT100DA60T1G  FS150R06KE3 STGE200N60K IGBT/SIC Module SL200H60TL 600 200 1.8 GA200SA60S IXGN120N60A3 STGE200NB60S IGBT/SIC Module SL300H60TL 600 300 1.8 IXGN200N60B3 APTGT200TL60G CM300DX-12A MG06200S-BN4MM IGBT/SIC Module SL450H60TL 600 450 1.45 APTGF360U60D4G IGBT/SIC Module SL600H60TL 600 600 1.45 CM600HX-12A MG600J2YS61  IGBT/SIC Module SL100FF65TL  650 100 1.5 IGBT/SIC Module SL150FF65TL  650 150 1.6 FS150R07N3E4 APTGLQ75H65T1G IGBT/SIC Module SL200FF65TL  650 200 1.6 FS200R07PE4 APTGLQ100A65T1G  IGBT/SIC Module SL450FF65TL  650 450 1.6 DF400R07PE4R IGBT/SIC Module SL450H65TL 650 450 1.6 FF450R06ME3 IGBT/SIC Module SL600FF65TL  650 600 1.6 APTGLQ300H65G IGBT/SIC Module SL50H120TL 1200 50 1.8 IGBT/SIC Module SL75H120TL 1200 75 1.8 IGBT/SIC Module SL100H120TL  1200 100 1.8 FF100R12RT4 IGBT/SIC Module SL150H120TL  1200 150 1.8 FF150R12RT4 IGBT/SIC Module SL200H120TL  1200 200 1.7 FF200R12KT4 IGBT/SIC Module SL300H120TL  1200 300 1.9 IGBT/SIC Module SL450H120TL  1200 450 1.9 FF450R12KT IGBT/SIC Module SL600H120TL  1200 600 1.8 FF600R12ME4 IGBT/SIC Module SL800H120TL  1200 800 1.8 IGBT/SIC Module SL50FF170TL  1700 50 2.3 IGBT/SIC Module SL75FF170TL  1700 75 2.3 IGBT/SIC Module SL100FF170TL 1700 100 2.3 IGBT/SIC Module SL150FF170TL 1700 150 2 IGBT/SIC Module SL200FF170TL 1700 200 2 IGBT/SIC Module SL300FF170TL 1700 300 2 IGBT/SIC Module SL450FF170TL 1700 450 2 IGBT/SIC Module SL600FF170TL 1700 600 2 IGBT/SIC Module SL1200SG330TK 3300 1200 2.4 IPM 型号 Vces(V) Ic（A) IV(V) Package IPM SL4F250DW/SW 250 4 1500 DIP-23/SOP-23 IPM SL8F250DW/SW 250 8 1500 DIP-23/SOP-23 IPM SL2F500DW/SW 500 2 1500 DIP-23/SOP-23 IPM SL5F500DW/SW 500 5 1500 DIP-23/SOP-23 IPM SL10F600DX 600 10 1500 DIP-24 IPM SL10F600DX/DA 600 15 2500 DIP-24/DIP-27 IPM SL20F600DA 600 20 2500 DIP-27 IPM SL30F600DA 600 30 2500 DIP-27 FRD 型号 VRrm（v） IF（A） VF(V) TRR(ns) Package FRD SL16S20 200 2*8 0.87 20 TO-220AC  MUR1620 FRD SL20S20T 200 2*10 0.9 17 TO-247 FRD SL60S20P 200 2*30 0.86 22 TO-3P FRD SL100S20T 200 100 1.01 35 TO-247 FRD D92-02 220 2*10 0.9 17 TO-3P FRD SL60S30P 300 2*30 1.25 22 TO-3P FRD SL80S30P 300 80 1.35 30 TO-3P FRD SL80S30T 300 2*40 1.15 18 TO-247 FRD SL30S40P 400 2*15 1 30 TO-3P FRD SL80S40P 400 2*40 1.3 22 TO-3P FRD SL8S60 600 8 1.8 17 TO-220AC-2l DSEI8-06A FRD SL10S60F 600 10 1.25 22 TO-220F-2l FRD SL15S60 600 15 1.3 30 TO-220F/AC-2l DSEP15-06A FRD SL16S60 600 2*8 1.8 17 TO-220AC  MUR1660CT FRD SL30S60F 600 30 2 22 TO-220F-2l MUR3060 FRD SL30S60P 600 2*15 2 18 TO-3P MUR3060PT FRD SL60S60P 600 60 1.3 40 TO-3P-2L   FRD SL60S60T 600 2*30 1.5 25 TO-247 FRD SL8S70 700 8 1.3 19 TO-220AC-2l FRD SL15S70 700 15 1.3 21 TO-220AC-2l FRD SL16S70 700 2*8 1.3 19 TO-220AC  FRD SL80S70P 700 80 1.7 35 TO-3PH-2L FRD SL8S120 1200 8 2.8 20 TO-220AC-2l FRD SL10S120 1200 10 1.9 25 TO-220AC-2l FRD SL15S120 1200 15 2.8 25 TO-220AC-2l DSEP12-12A FRD SL30S120T 1200 30 2.15 30 TO-247-2L FRD SL60S120T 1200 60 2.1 40 TO-247-2L