1、参数和元器件选择
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a:电感要用加屏蔽的电感
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b:续流二极管D2要用肖特基二极管,尽可能的话在二极管管脚上套个磁珠
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c:输入和输出电容要采用一个大电容和一个小电容连接,分别滤除低频和高频杂波
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d:MOS管要用导通Vgs(th)<3V,导通内阻尽可能小的N-MOS
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e:IC工作频率控制在100K
Hz以下干扰较小,频率高会造成干扰较大。(Coff增大可以减小IC工作频率)
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2、布线规则
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a:
IC的VDD电容C4要靠近IC的VDD和GND引脚;
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b:
Coff电容C3要靠近IC的引脚和GND,防止寄生引起误差;
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c
IC的VSS,Coff电容的地,COMP脚电容的地,C4的地(前面四个地可认为是模拟地,要和功率地分开),
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先接到C3的地,再连接到C2的负极,再连接到C1的负极,
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d:
MOS的栅极要靠近IC的DRV,也可以在MOS栅极和pin5之间串联一个小电阻和小电容,减小干扰;
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e:限流电阻R8,R9,R10要靠近MOS源极,同时在接一个1K的电阻到IC的CS脚,R8,R9,R10地要单点连接
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到C2的负极再接到C1的负极,不可以和前面提到的地直接相连,以免干扰;
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f:IC的FB脚输出电流设定电阻R12,R13要靠近IC引脚,可以在中间接一个R7=10K电阻。
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g:图示的电感充电回路和放电回路为功率回路,IC的模拟地和功率地要分开,两个功率回路(电路图已
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画出)走线尽量短,面积小,布线时不能走闭环,IC布局时不要放在功率回路内且不要靠近电
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感,避免电磁干扰,C1的负极要采用星形连接(如下图),强制电流先经过C1负极滤波后再到输入电源负极。
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