详细介绍:
EN25F40-100GCP 4兆位串行闪存芯片
特点
•单电源工作
- 全电压范围: 2.7-3.6伏
• 4兆位串行闪存
- 4 M-bit/512 K-byte/2048页
- 每可编程页256字节
•高性能
- 100MHz的时钟速率
•低功耗
- 5 mA典型工作电流
- 1 μA典型掉电电流
•一样的部门架构:
- 4 KB的128个扇区
- 64K字节的8块
- 任何部门或块可以
单独擦除
•软件和硬件写保护:
- 通过写保护所有的记忆体或部分
软件
- 启用/禁用保护与WP#针
•高性能编程/擦除速度
- 页面程序时间: 1.5ms的典型
- 扇区擦除时间: 150毫秒典型
- 块擦除时间800ms典型
- 芯片擦除时间: 5秒典型
•可锁定256字节的OTP安全部门
•最低100K周期耐力
•封装选项
- SOP-8 150mil
- SOP-8 200mil
- VDFN-8
- PDIP-8
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