详细介绍:
K9F1G08U0D-SCB0 1GB闪存芯片
电源电压
- 3.3V设备(K9F1G08U0D):2.7V~3.6V
•组织
- 内存电池阵列:(128M+4 M)×8位
- 数据寄存器:(2K+64)×8位
•自动编程和擦除
- 页编程:(2K+64)字节
- 块擦除:(128K+4K)字节
•页面读取操作
- 页面大小:(2K+64)字节
- 随机阅读:为40μs(最大)
- 串行访问:25ns的(最小)
•快速写周期时间
- 页编程时间:250μs的(典型值)
- 块擦除时间:2ms(典型值)
•命令/地址/数据多路复用I/ O端口
•硬件数据保护
- 编程/擦除在电源转换分离
•可靠CMOS浮动门技术
耐用性和数据保存:Refor到gualification报告
ECC的regnirement:1位/528bytes
•命令式操作
•独特的ID为版权保护
•包装:
- K9F1G08U0D-SCB0/SIB0:无铅封装
48 - 引脚TSOP I(12×20/0.5 mm间距)
- K9F1G08U0D-HCB0/HIB0:无铅封装
63 FBGA(9×11/0.8 mm间距)
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