产品简介

离子分析质谱仪/飞行时间二次离子质谱仪可分析来自固体样品的二次阴、阳离子和中性粒子。采用技术的SIMS 探针，便于连结到现有的UHV表面科学研究反应室。

详情介绍

Hiden TOF-qSIMS 飞行时间二次离子质谱工作站设计用于多种材料的表面分析和深度剖析应用，包括聚合物，药物，超导体，半导体，合金，光学和功能涂层以及电介质，检测限低于1ppm。 

飞行时间二次离子质谱仪特点： 
1、高灵敏度脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围
2、SIMS 成像，分辨率在微米以下 
3、光栅控制，增强深度分析能力
4、45°静电扇形分析器, 扫描能量增量 0.05 eV/ 0.25eV FWHM. 
5、所有能量范围内，离子行程的zui小扰动，及恒定离子传输
6、差式泵3级过滤四极杆，质量数范围至2500amu
7、灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器
8、Penning规和互锁装置可提供过压保护
9、通过RS232、RS485或Ethernet LAN，软件 MASsoft控制


TOF-qSIMS Workstation 包含了四极杆质谱和飞行时间质谱。

四极杆qSIMS主要用于掺杂物深度剖析和薄层分析，低入射能力，高入射电流，溅射和分析连续进行，是典型的Dynamic SIMS 动态SIMS。

飞行时间二次离子质谱TOF-SIMS使用飞行时间质谱，质量数范围宽，质量分辨率高，且测量速度快（瞬间得到全谱）。离子枪仅需要一次脉冲溅射，即可得到全谱，对表面几乎无破坏作用。因脉冲模式分析，且电流小，所以产生的二次离子比率相对少，灵敏度相比动态SIMS弱，但成像和表面分析能力强，是典型的Stactic SIMS 静态SIMS。

TOF-qSIMS workstation 综合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的优点，可以分析所有的导体、半导体、绝缘材料；对硅、高k、硅锗以及III-V族化合物等复合材料的薄层提供超浅深度剖析、痕量元素和组分测量等一系列扩展功能。对于材料/产品表面成分及分布，表面添加组分、杂质组分、表面多层结构/镀膜成分、表面异物残留（污染物、颗粒物、腐蚀物等）、表面痕量掺杂、表面改性、表面缺陷（划痕、凸起）等有很好的表征能力。


应用：
1、静态 /动态SIMS
2、一般目的的表面分析
3、整体的前端离子源，便于RGA和 SNMS
4、兼容的离子枪/ FAB 枪
5、成分/污染物分析
6、深度分析
7、泄漏检测
8、与Hiden SIMS 工作站兼容