新闻:大连BSM75GP60大功率IGBT模块
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    商品详情
      注意事项
      由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点:
      1. 在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;
      2. 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;
      3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
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      如今,均胜电子可能达成公司历史上最大一笔交易,让一家附属公司求购陷入困境的安全气囊生产商高田公司,并进一步巩固出口美国的汽车底盘业务。2016年,中国汽车零部件制造商投入创纪录的16亿美元,希望进入美国供应链,以为日渐成熟的国内市场另辟蹊径,均胜电子在其中遥遥领先,而这笔潜在交易将是该公司开拓性策略的延续。“我们仅处在一个重大趋势的开头,这个趋势将延续5到10年,”香港咨询机构DunneAutomotive总裁迈克尔·邓恩说。
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      在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
      此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
      在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
      在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。
      新闻:大连BSM75GP60大功率IGBT模块
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      2017年,在智能制造专项的持续支持下,围绕互联互通、多维度协同等瓶颈领域,将组织开展智能制造基础共性标准、关键共性标准和行业应用标准研究,搭建一批标准试验验证平台(系统),开展全过程试验验证。此外,还将加快智能制造标准制修订,在制造业各个领域全面推广,智能制造标准体系将逐步完善。二、需要关注的几个问题(一)关键技术装备和软件系统自主化水平不高近几年,我国智能制造装备、工业软件等整体发展迅速,但关键核心技术与高端装备对外依存度高,自主创新能力较弱,严重制约我国智能制造的发展。
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      1. 一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿;
      2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
      3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
      4. 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
      5. 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。
      6. 检测IGBT模块的的办法。
      新闻:大连BSM75GP60大功率IGBT模块
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      2016年中国光伏外贸形势并不乐观。来自中国光伏行业协会的数据显示,2016年我国光伏产品出口140亿美元,产能扩张集中在海外尽管我国光伏外贸出口同比下降,但在国际光伏发展版图上,中国强劲势头无可抵挡。作为全球最大的光伏制造国和光伏发电应用国,中国光伏产品出口规模快速扩张的同时,结构也在不断优化升级。硅片和电池片出口同比增加,2016年出口硅片接近35亿片,同比增长近30%,电池片出口量接近3GW,同比增长超11%。

       

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