新闻:长沙F4-50R12MS4IGBT模块
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    商品详情
      注意事项
      由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点:
      1. 在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;
      2. 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;
      3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
      新闻:长沙F4-50R12MS4IGBT模块
      对于企业而言,不管智能家居行业未来如何发展,专注于产品本身都将是唯一出路。因为无论多么新颖的概念和技术都必须借助于产品才能落地,而良好的使用体验则是产品在用户手中的价值体现。雷军曾有一句名言:站在风口上,猪都能飞上天。但风停之后,飞得越高的猪也将摔得越惨。未来,随着智能家居基础平台搭建完毕,市场开始走向理性,系统集成商、强弱电工程商等将更多优质的产品带入智能集成项目之中,另外相关的房地产、装修装饰等领域的企业在使用产品时将会更加倾向于挑选优质的产品,这都将促进智能家居的落地与消费者对产品的认知。
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      在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
      此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
      在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
      在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。
      新闻:长沙F4-50R12MS4IGBT模块
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      1. 一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿;
      2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
      3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
      4. 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
      5. 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。
      6. 检测IGBT模块的的办法。
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      “神威·太湖之光”蝉联全球最快超级计算机,5G无线和网络主要关键技术通过验证,长效注射抗艾滋病药物、寨卡病毒诊断试剂等研制成功……“国家科技重大专项”作为我国科技工作的重中之重,是实施创新驱动发展战略的重要抓手。当资本“牵手”创新,又会孕育出怎样的新动能?在科技部近日举办的重大专项成果发布会上,科技部重大专项办公室主任陈传宏向记者表示,在国家科技成果转化引导基金下专门设立的针对重大专项成果转化的子基金,已正式运作,基金规模100亿元。

       

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