注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点：
1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;
2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
新闻:崇左BSM15GP60大功率IGBT模块
磷酸铁锂电池虽然依旧占据主导地位，但石墨材料做负极带来的弊病，如易形成SEI膜而导致首次充放电效率较低，不可逆容量较大等并没有根治。最直接的影响，就是绝大多数电动汽车“不敢”进行快充快放，而只能采用慢充的形式。这意味需要建设大量配套的充电设施，投资和建设成本极高，最终严重制约了车辆运行效率，给电动汽车赢得消费者的自发需求，实现商业化普及带来了障碍。可以看到，在电池技术实现跨越式重大突破之前，唯“快”不破，成为电动汽车发展“提速”的普遍要求。

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。

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现在看来，在中国的半导体市场以及更多科技产品市场，一种新的合作模式在碰撞中逐步确立，即外资公司和本土公司之间，如何作为“利益攸关方”分享技术和市场的发展收益，乃至于未来作为伙伴共同拓展全球市场，在增强本土产业链能力上的投资，和本土合作伙伴共同设立合作公司，研发、供应链的“本土化”，都可能被视为更加“本土化”的外资公司，也将能在中国新的产业环境中更游刃有余。无独有偶，除了格罗方德刚刚宣布了投资，软银集团董事长孙正义被曝春节后造访北京，其间与紫光集团董事长赵伟国进行了会谈。

1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
6. 检测IGBT模块的的办法。

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在一个制造单元中，只有当一个零件全部制作完成，没有任何缺陷后才能进入下一步。“单件流减少了操作间的走动，有助于降低机器或操作工人的出错率，并且制成的零件不需返工。单件流是采用精益生产的工厂的重要组成部分，”Jones说。因为制造单元的特性，劳动力和机器不必要的移动几乎被完全消除。因为相同操作紧密相连，部件的装卸变的非常迅速。因为每台机器都根据其功能被设为制造单元的一部分，这样就减少了寻找工具作业的时间。