特性
常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。
可控硅的主要参数有：
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为了实现经济增长，伊朗寻求在外国合作伙伴的帮助下提振钢铁行业。伊朗在2015年与六大国达成核协议，以换取解除其所受到的制裁。但伊朗政府曾表示，正在考虑效仿印度对铁矿石征收出口关税，从而增加国内钢铁厂商的廉价原材料供应。Eurofer称这相当于是保护主义，Eurofer所代表的产业必须进口该国铁矿石此外，上周三也就是伊朗为期两日的钢铁会议之后，伊朗称其希望到2025年之前每年出口钢铁2000-2500万吨，并将总产量从当前估计的1600万吨提高至5500万吨。
1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

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2017年注定是一个半导体FAB厂雨后春笋一般建设的高产年，不说北上广等热门地方，光说四川今年就传言有3个12寸的FAB上马。究其原因一个是2016产能的不足，以及对2017市场的乐观判断，另外地方政府和集成电路产业大咖一拍即合的WIN——WIN利益，谁不愿在此时推上一把。话说回来，建一个新工厂意味着时间、金钱和公司资源上的巨大投入。整个公司的成功与否有可能取决于这个新工厂的投资回报率。要实现ROI的最大化，需在多个因素之间进行权衡，从最初的工厂设计到后来的生产上量阶段。

5、 维持电流IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
分类编辑
可控硅有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
可控硅开关
可控硅开关
（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。
（六）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。
（七）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

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”此外，倪光南还指出，中国最大的问题是“各自为政，合作意识很差”。“中国做终端操作系统的有十多家，这肯定是太多了。”倪光南认为，这样会有太多的内耗，结果就是难以成事。“我们的终端操作系统出不来，资源分散是很致命的。”在一次接受媒体采访时，倪光南就抛出这样的看法。他说：“中国科技人员的最大毛病，是宁做鸡头，不做凤尾；三个和尚没水喝，就是团队合作精神较差。在信息领域，这个缺点也存在。当然，中国有很优秀的个体，比哪个国家都不差。