IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
新闻:常德BSM75GB120DN2IGBT模块
“要想使一个工序达到精益生产。就要仔细检查每一个步骤，考虑如果除去那个步骤能否降低给客户产品的价格。”“对很多制造商来说，实现精益生产最困难的部分就是挑战长期以来使用的技术和思考方式，”Jones接着说。“但他们必须质疑一些旧惯例，并且不再只把精力放在改进有缺陷的工序上，而是仔细观察某一操作过程，少操心各种抽象的结果，多关心具体的过程步骤。”开始实施开始这一过程的一个简单方法就是仔细考虑车间里那些不增加附加值的作业活动。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。

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这一方面反映出LED芯片出现结构型失衡，即显示应用与照明应用争抢GaN蓝绿芯片产能。另一方面也反映出芯片行业下游需求的旺盛，根据调研反馈，近期白光LED芯片、封装、灯具订单情况良好，行业景气上行，企业盈利能力逐步修复。供给端：价格战挤出效应明显，行业竞争格局改善根据统计数据显示，中国大陆LED芯片厂的持续投产使得15年LED芯片供过于求的比例高达22％，自15Q1至16年Q1，主流LED芯片的价格跌幅超过30％，封装产品的价格也普遍呈现超过20％的跌幅。

测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障.　动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻 断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。　注意：若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。　任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。

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位于昌平区的北汽福田汽车股份有限公司北京欧辉客车分公司在推进推进燃气锅炉低氮燃烧技术改造工作上做了大量的努力，据该公司负责人介绍，目前公司有5台锅炉，已经改造完成的有2台，并且采用边改造边检测的方式。在改造过程中，同时邀请第三方检测机构进行检测，这样将改造完成的更加彻底。据了解，今年4月1日，《锅炉大气污染物排放标准》（DB11/139-2015）Ⅱ时段限值就要执行，届时，新建锅炉氮氧化物排放浓度需控制在30毫克/立方米以内，高污染燃料禁燃区内的在用锅炉氮氧化物排放浓度需控制在80毫克/立方米以内。