注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点：
1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;
2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
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”一个模具制造商应该期待机器直接生产出好的零件，不需要返工，并且不需要或只要很少的时间加工。比如说，使用切割表面抛光更好的机床来节省一个小时的人工抛光。这样生产几十件零件，就能节省大量的时间和劳动力。生产一次就通过质检的零件是一个增加附加值的手段。如果使用一部质量很好并且维护地很好的机床，一些质量把关步骤就可以省去。若零件能被更迅速准确地切割，并且不需要加工或仔细地检查来保证切割的质量，就能很快的进入下一个步骤。

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。

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然而，非堆栈式过程工艺对产量的影响更大，因为制造SOC设计的工厂只采用了极少的堆栈式过程工艺。产量影响因素矩阵也对可制造性的设计提出了改进方案。例如，采用许多小存储区的SOC设计不能容许很多的存储器故障。在每个存储区设置冗余单元会大大增加整个电路的面积。但是，设计师可通过放宽位单元设计规则来更有效地提高存储器的产量。相反地，只有几个大存储区的芯片可以在采用更为严格的设计规则的条件下，通过增加冗余单元来提高存储器的产量，而电路板的面积不会有太大的增加。

1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
6. 检测IGBT模块的的办法。

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对动力电池行业，资本近年来似乎尤其青睐。不久前，众业达电气股份有限公司旗下子公司联合银川金智汇，从格力电器董事长董明珠入主银隆新能源，到微宏动力获投资注入，钛酸锂电池这一长期活在磷酸铁锂电池巨大阴影下的锂电池品类，在电动汽车受困续航里程、充电效率问题，产业化进展迟缓的背景下，似乎终于迎来了翻身的时机。长短板鲜明的“老鲜肉”外行看热闹，内行看门道。董明珠在舆论中炒红了银隆新能源这家企业，但行业内的观察点却在钛酸锂。