可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
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通过哪怕是在市场衰退的情况下做出的投资，该公司几乎总能够在市场机会出现时拥有居于优势地位的生产能力。技术的不断发展也使生产能力的规划变得更加复杂。更富有进取精神的设计规则能够在更小的封装内实现更高的性能，而且单位成本通常更低。更高的性能可以从价格中获得额外的利润。对一家技术先进的工厂来说，它最初的18个月是盈利状况最好并能迅速挣回初期投资的阶段。而采用相对陈旧的技术的工厂就不能从价格中赢得额外利润。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
结构编辑
大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸

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总的说来，工厂规划和建设始于一般性问题，然后才是具体细节。在开始阶段，设计人员必须了解这家工厂每个月将生产多少晶圆片、这些晶圆片的尺寸是多少，以及采用什么设计规则和工艺技术。但是，生产量、晶圆片尺寸和工艺技术的最佳组合取决于工厂开始生产时的市场状况，而此时距离当初的工厂规划往往已经过去了很长时间。何时建厂从建一家工厂到生产上量需要两年多的时间。然而，技术上的飞跃大约每18个月就有一次，半导体销售的高峰每24——36个月出现一次。

可控硅
管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a）〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b）〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的结构
不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。

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