IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
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黑兹利特表示：“这已经相当棒，比行为工具好得多。”为了训练算法，研究团队最初只用一半数据对其进行训练，并利用另一半数据进行测试。但是应审查人员的要求，他们后来利用更标准的10倍分析法，即将数据平均分成10等份。机器学习算法需要对每份数据进行10次分析，其中9次进行训练，第十次用于测试。最后，算法从10轮分析中收集“测试结果”，并利用它们进行预测。令人欣慰的是，这两种分析方法都显示出基本相同的结果。研究人员对预测的准确率相当满意。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。

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（五）智能制造标准体系逐步完善标准化是发展智能制造的重要基础和推进抓手，国家发布《国家智能制造标准体系建设指南（2015年版）》、成立国家智能制造标准化协调推进组、总体组和专家咨询组。此外，连续两年组织实施智能制造专项，先后支持93个智能制造标准研制及试验验证项目；去年10月，工业和信息化部公布了首批《智能制造系统架构》等12项国家智能制造标准计划项目。智能制造标准体系框架及多部门协调、多标委会协作的工作推进机制基本形成。

测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障.　动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻 断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。　注意：若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。　任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。

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但它最大的优势还是在于——即使单颗发光二极管被烧毁，也不会导致整个电路的中断。通常情况下，LED路灯的发光二极管都是串联在一起的，导致一个模块很容易因为一小颗LED的故障（坏一颗直接灭一串）而需要报废或维修置换。以120V电压为例，灯泡串联数可在40颗左右。为了克服串联的弊端，KIT光技术研究所开发出了一种“互联型”（inter——connect）LED阵列。如此一来，即使某颗发光二极管发生了故障，也不会影响到整个电路上其它LED灯泡继续发光。