注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点：
1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;
2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
新闻:龙岩BSM150GB170DN2IGBT模块
与此同时，建筑队伍和工厂的雇员都需要高速公路或其他交通基础设施。而且，工厂今后的经营活动也有相同的要求。震动分析必须考虑工厂自身产生的条件。DPRConstruction公司的项目经理BartRogers认为：隔震往往是建设阶段最耗时最花钱的部分。同样，工厂的能源和水资源消耗也对当地产生了巨大的压力。稳定的能源和充足的水资源获得将决定需要什么样的现场水净化和动力设施。Rogers说，由于当地公用设施方面的问题而导致的新建工厂计划被取消或重新选择厂址的现象屡见不鲜。

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。

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另外还将设立“中国分析仪器创新奖”，于8月份的“中国分析仪器学术年会”期间颁发。同时推出新版的分会和微信服务号，完成《生命科学仪器研发支持方向调研报告》等市场研究，为各分会成员做好服务，成为受分析仪器产、学、研、用工作者亲近的大家庭。紧随分会工作的话题，吴爱华副秘书长为即将于8月在南京举办的“2017中国分析仪器学术年会”造势预热。该年会由中国仪器仪表学会分析仪器分会和长三角科学仪器产业技术创新战略联盟联合主办，旨在沟通仪器创新需求，剖析技术发展趋势，交流技术创新成果，促进产、学、研、用合作。

1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
6. 检测IGBT模块的的办法。

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国新办今日就2016年工业通信业发展情况举行新闻发布会。工业和信息化部部长苗圩表示，通过两年努力，制造强国建设迈出了坚实步伐。信息化与工业化融合、军民融合深度发展深入推进，“双创”和“互联网＋”取得明显成效，工业和通信业保持平稳运行，结构调整持续优化，发展质量和效益不断提高。一是总体规模和综合实力进一步提升。我国稳居世界第一制造大国和网络大国地位。500余种主要工业产品中有220多种产量位居世界第一，56家制造企业进入2015年世界500强企业榜单。