IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
新闻:潍坊FB15R06KL4IGBT模块
因此，“下决心选择存储器作为IDM模式的突破口，是产业的发展需要，也是众望所归。”莫大康指出。中国的机会窗口期并不长当然，无论是DRAM还是NANDFlash，当前都处于高度垄断状态，即便是有可能带来产业变革机会的3DNAND产品，目前国际存储大厂也在不断垒高技术壁垒。目前，三星在3DNAND方面处于领先地位，主流技术已经是64层的3DNAND，且其3DNAND产出己占到其NAND总出货量的40%。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。

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2017年，更多的省份将会出台《意见》的贯彻落实文件，并根据自身发展特点，细化《意见》任务要求，不断深化制造业与互联网深度融合落实工作，工信部也将组织开展制造业与互联网融合试点示范工作。政策部署和工作开展将在更大程度上激发全行业推进两化融合的热情和创造力，驱动制造业技术、产品、模式、机制变革，推动制造业与互联网全面融合进程加速。趋势二：大企业“双创”加快制造业创新生态形成2016年，全国“双创”热度高企，大企业“双创”正步入全面实施、快速迭代、自我完善的阶段，呈现出三种典型发展模式：一是管理变革型。

测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障.　动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻 断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。　注意：若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。　任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。

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硅片方面，2016年产量超过63GW，同比增长11％以上，每片加工成本下降至1．4元以下。而光伏新增装机容量达到34．54GW，连续4年位居全球第一，其中地面电站30．3GW，分布式电站4．24GW．“光伏市场发生布局、结构双转换。市场格局从西北部渐渐向中东部等地区转换：2016年西北地区新增装机9．74GW，占全国的28％；中东部9个省份新增装机破1GW。市场结构从地面电站向分布式倾斜：分布式光伏新增装机较2015年增长200％，2016年8月以后，分布式每月并网量占比都在50％左右。