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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | INFINEON | ||
| 封装 | MODULE | ||
| 批号 | 19 | ||
| 数量 | 326 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 产品种类 | IGBT 模块 | ||
| RoHS | 是 | ||
| 配置 | Dual | ||
| 集电极—射极饱和电压 | 2.45 V | ||
| 在25 C的连续集电极电流 | 310 A | ||
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA | ||
| Pd-功率耗散 | 1250 W | ||
| 封装 / 箱体 | 62 mm | ||
| 最小工作温度 | - 40 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| 安装风格 | Chassis Mount | ||
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V | ||
| 零件号别名 | FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 FF200R17KE4HOSA1 | ||
| 单位重量 | 340 g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | FF200R17KE4 | ||
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