产品规格
材质： >99.99高纯度氧化铝晶体（泡生法）

晶向：
* C轴向A轴偏转 0.5-6度
* C轴向M轴偏转 0.5-6度

直径：
* 50.8mm（2英寸），100mm（4英寸）

厚度：
* 430微米（2英寸标准厚度）
* 650微米（4英寸标准厚度）

抛光： 单面抛光/双面抛光 （可选）
CMP抛光面粗糙度Ra总厚度公差TTV翘曲度BOW：参考规格书
弯曲度Warp：参考规格书
包装：25片/盒多片盒双层PE袋抽真空。
*特定规格产品请向客服索要产品规格书。

在斜切蓝宝石衬底上生长 晶圆级二硫化钼(MoS2)单晶薄膜

由于常规的二维材料化学气相沉积法生长工艺所使用的外延衬底与MoS2存在对称性不匹配的问题，导致生长的成核期出现了大量的180°反向MoS2晶畴，反向晶畴在长大过程中由于晶向不一致而无法合并成大面积MoS2单晶，制得的MoS2多晶薄膜具有较高的晶界密度，显著降低了材料/器件的性能。

南京大学实验团队成功实现了晶圆级(2英寸) 二硫化钼(MoS2)单层单晶薄膜的生长制备。研究成果发表在Nature Nanotechnology 上。研究表明C/A斜切蓝宝石在不影响原有外延关系的同时，形成的台阶取向打破了反向MoS2晶畴在成核过程中的能量简并态，进而引导MoS2晶畴沿台阶边缘成核机制确定的优势取向生长，可以生长出99.6％单一取向的MoS2晶畴，这些取向一致的晶畴可以合并成大面积MoS2单晶薄膜。该成核机制对指导二维TMDs大面积单晶薄膜的生长具有很好的普适性。