FF100R12KS4FF150R12KS4FF200R12KS4英飞凌IGBT高频变频誉优代理
产品价格：￥450.00（人民币）
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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | ||
| 包装 | 盒装 | ||
| 最小包装量 | 10 | ||
| 产品特性 | IGBT | ||
| 封装 | Tray | ||
| 批号 | 19 | ||
| IGBT类型 | IGBT模块 | ||
| 配置类型 | 标准 | ||
| 集射极击穿电压(VCEO) | 1200 | ||
| 最大集电极电流(Icm) | 100 | ||
| 集电极截止电流 | 200 | ||
| 最大耗散功率 | 780WmW | ||
| 工作温度范围 | -40C~ 150C | ||
| 安装类型 | Inproduction | ||
| 应用领域 | 电工电气 | ||
| 数量 | 10 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | FF200R12KS4 | ||
规格
| 产品属性 | 属性值 | 搜索类似 |
|---|---|---|
| 制造商: | Infineon | |
| 产品种类: | IGBT 模块 | |
| RoHS: | N | |
| 产品: | IGBT Silicon Modules | |
| 配置: | Dual | |
| 集电极—发射极电压 VCEO: | 1200 V | |
| 集电极—射极饱和电压: | 3.2 V | |
| 在25 C的连续集电极电流: | 275 A | |
| 栅极—射极漏泄电流: | 400 nA | |
| Pd-功率耗散: | 1.4 kW | |
| 封装 / 箱体: | 62 mm | |
| 工作温度: | - 40 C | |
| 工作温度: | 125 C | |
| 封装: | Tray | |
| 高度: | 30.5 mm | |
| 长度: | 106.4 mm | |
| 技术: | Si | |
| 宽度: | 61.4 mm | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 安装风格: | Chassis Mount | |
| 栅极/发射极电压: | 20 V | |
| 产品类型: | IGBT Modules | |
| 工厂包装数量: | 10 | |
| 子类别: | IGBTs | |
| 零件号别名: | FF200R12KS4HOSA1 SP000100707 FF200R12KS4HOSA1 | |
| 单位重量: | 340 g |
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