FS50R12KE3集成电路、处理器、微控制器英飞凌\/Infineon批次21
FS50R12KE3集成电路、处理器、微控制器英飞凌\/Infineon批次21
产品价格:¥0.7600(人民币)
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    商品详情
      产品参数
      FS50R12KE3 集成电路、处理器、微控制器 英飞凌/Infineon 批次21 品牌英飞凌
      批号21
      数量10000
      制造商Infineon
      产品种类IGBT 模块
      RoHS
      配置Hex
      集电极—射极饱和电压1.7 V
      在25 C的连续集电极电流75 A
      栅极—射极漏泄电流400 nA
      Pd-功率耗散270 W
      封装 / 箱体EconoPACK 2
      最小工作温度- 40 C
      最大工作温度 125 C
      高度17 mm
      长度107.5 mm
      宽度45 mm
      安装风格Chassis Mount
      栅极/发射极最大电压20 V
      零件号别名FS50R12KE3BOSA1 SP000100413 FS50R12KE3BOSA1
      单位重量180 g
      可售卖地全国
      型号FS50R12KE3


      技术参数

      品牌:英飞凌/Infineon
      型号:FS50R12KE3
      批号:21
      数量:10000
      制造商:Infineon
      产品种类:IGBT 模块
      RoHS:
      配置:Hex
      集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
      集电极—射极饱和电压:1.7 V
      在25 C的连续集电极电流:75 A
      栅极—射极漏泄电流:400 nA
      Pd-功率耗散:270 W
      封装 / 箱体:EconoPACK 2
      最小工作温度:- 40 C
      最大工作温度: 125 C
      高度:17 mm
      长度:107.5 mm
      宽度:45 mm
      安装风格:Chassis Mount
      栅极/发射极最大电压:20 V
      零件号别名:FS50R12KE3BOSA1 SP000100413 FS50R12KE3BOSA1
      单位重量:180 g
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