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产品参数 | |||
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FS50R12KE3 集成电路、处理器、微控制器 英飞凌/Infineon 批次21 品牌 | 英飞凌 | ||
批号 | 21 | ||
数量 | 10000 | ||
制造商 | Infineon | ||
产品种类 | IGBT 模块 | ||
RoHS | 是 | ||
配置 | Hex | ||
集电极—射极饱和电压 | 1.7 V | ||
在25 C的连续集电极电流 | 75 A | ||
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA | ||
Pd-功率耗散 | 270 W | ||
封装 / 箱体 | EconoPACK 2 | ||
最小工作温度 | - 40 C | ||
最大工作温度 | 125 C | ||
高度 | 17 mm | ||
长度 | 107.5 mm | ||
宽度 | 45 mm | ||
安装风格 | Chassis Mount | ||
栅极/发射极最大电压 | 20 V | ||
零件号别名 | FS50R12KE3BOSA1 SP000100413 FS50R12KE3BOSA1 | ||
单位重量 | 180 g | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 | FS50R12KE3 |
品牌: | 英飞凌/Infineon |
型号: | FS50R12KE3 |
批号: | 21 |
数量: | 10000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | IGBT 模块 |
RoHS: | 是 |
配置: | Hex |
集电极—发射极最大电压 VCEO: | 1200 V |
集电极—射极饱和电压: | 1.7 V |
在25 C的连续集电极电流: | 75 A |
栅极—射极漏泄电流: | 400 nA |
Pd-功率耗散: | 270 W |
封装 / 箱体: | EconoPACK 2 |
最小工作温度: | - 40 C |
最大工作温度: | 125 C |
高度: | 17 mm |
长度: | 107.5 mm |
宽度: | 45 mm |
安装风格: | Chassis Mount |
栅极/发射极最大电压: | 20 V |
零件号别名: | FS50R12KE3BOSA1 SP000100413 FS50R12KE3BOSA1 |
单位重量: | 180 g |