INFINEON场效应管IRF3205PBFMOSFETMOSFT55V98A8mOhm97.3nC
INFINEON场效应管IRF3205PBFMOSFETMOSFT55V98A8mOhm97.3nC
产品价格:¥0.0010(人民币)
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  • 发货地:广东省深圳市
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    商品详情
      产品参数
      品牌INFINEON
      封装TO-220(TO-220-3)
      批号1920
      数量8000
      制造商Infineon
      产品种类MOSFET
      RoHS
      安装风格Through Hole
      封装 / 箱体TO-220-3
      晶体管极性N-Channel
      通道数量1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压55 V
      Id-连续漏极电流110 A
      Rds On-漏源导通电阻8 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压- 20 V
      20 V
      Vgs th-栅源极阈值电压2 V
      Qg-栅极电荷97.3 nC
      最小工作温度- 55 C
      最大工作温度 175 C
      Pd-功率耗散150 W
      通道模式Enhancement
      配置Single
      高度15.65 mm
      长度10 mm
      晶体管类型4.4 mm
      宽度IRF3205PBF SP001559536
      零件号别名2 g
      可售卖地全国
      型号IRF3205PBF


      技术参数

      品牌:INFINEON
      型号:IRF3205PBF
      封装:TO-220(TO-220-3)
      批号:1920
      数量:8000
      制造商:Infineon
      产品种类:MOSFET
      RoHS:
      安装风格:Through Hole
      封装 / 箱体:TO-220-3
      晶体管极性:N-Channel
      通道数量:1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压:55 V
      Id-连续漏极电流:110 A
      Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 20 V
      Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
      Qg-栅极电荷:97.3 nC
      最小工作温度:- 55 C
      最大工作温度: 175 C
      Pd-功率耗散:150 W
      通道模式:Enhancement
      配置:Single
      高度:15.65 mm
      长度:10 mm
      晶体管类型:4.4 mm
      宽度:IRF3205PBF SP001559536
      零件号别名:2 g
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